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MBR2535CT

更新时间： 2024-02-29 12:40:57
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威世 - VISHAY 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
SCHOTTKY RECTIFIER

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MBR2535CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ITO-220AB, 3 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.62其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.82 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：35 V
最大反向电流：200 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR2535CT 数据手册

 浏览型号MBR2535CT的Datasheet PDF文件第2页 
MBR2535CT THRU MBR2560CT  
SCHOTTKY RECTIFIER  
Reverse Voltage - 35 to 60 Volts  
Forward Current - 30.0 Amperes  
FEATURES  
TO-220AB  
♦ Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classifications 94V-0  
♦ Dual rectifier construction, positive center-tap  
♦ Metal silicon junction,  
0.185 (4.70)  
0.175 (4.44)  
0.415 (10.54) MAX.  
0.370 (9.40)  
0.360 (9.14)  
0.154 (3.91)  
0.055 (1.39)  
DIA.  
0.148 (3.74)  
0.045 (1.14)  
majority carrier conduction  
0.113 (2.87)  
♦ Low power loss,  
0.103 (2.62)  
0.145 (3.68)  
high efficiency  
♦ High current capability, low forward voltage drop  
♦ High surge capability  
0.135 (3.43)  
0.560 (14.22)  
0.530 (13.46)  
0.410 (10.41)  
0.390 (9.91)  
0.350 (8.89)  
0.635 (16.13)  
0.330 (8.38)  
0.625 (15.87)  
♦ For use in low voltage, high frequency inverters, free  
wheeling, and polarity protection applications  
♦ Guardring for overvoltage protection  
♦ High temperature soldering guaranteed:  
250°C/10 seconds, 0.25" (6.35mm) from case  
PIN  
2
1.148 (29.16)  
1.118 (28.40)  
1
3
0.110 (2.79)  
0.100 (2.54)  
160 (4.06)  
140 (3.56)  
0.560 (14.22)  
0.530 (13.46)  
MECHANICAL DATA  
Case: JEDEC TO-220AB molded plastic body  
Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
0.105 (2.67)  
0.095 (2.41)  
0.037 (0.94)  
0.027 (0.68)  
0.022 (0.56)  
0.014 (0.35)  
0.105 (2.67)  
0.095 (2.41)  
0.205 (5.20)  
0.195 (4.95)  
PIN 2  
PIN 1  
PIN 3  
Polarity: As marked  
CASE  
Mounting Position: Any Mounting Torque: 5 in. - lbs. max.  
Weight: 0.08 ounce, 2.24 grams  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
SYMBOLS MBR2535CT  
MBR2545CT MBR2550CT  
MBR2560CT  
UNITS  
Volts  
Volts  
Volts  
Amps  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
Maximum DC blocking voltage  
VRRM  
VRWM  
VDC  
35  
35  
35  
45  
45  
45  
50  
50  
50  
60  
60  
60  
Maximum average forward rectified current at TC=130°C  
I(AV)  
30.0  
30.0  
Peak repetitive forward current per leg at TC=130°C  
(rated VR, square wave, 20 KHZ)  
IFRM  
Amps  
Peak forward surge current  
8.3ms single half sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
IRRM  
150.0  
Amps  
Amps  
Peak repetitive reverse surge current (NOTE 1)  
1.0  
0.5  
Maximum instantaneous forward voltage IF=15.0A,TC=25°C  
-
0.75  
per leg at: (NOTE 2)  
IF=15.0A,TC=25°C  
IF= 30A, TC=25°C  
IF= 30A, TC=125°C  
-
0.65  
-
-
VF  
Volts  
0.82  
0.73  
Maximum instantaneous reverse current at  
rated DC blocking voltage per leg (NOTE 2)  
TC=25°C  
IR  
0.2  
1.0  
mA  
TC=125°C  
40.0  
50.0  
Maximum thermal resistance (NOTE 3)  
Voltage rate of change (rated VR)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
RΘJC  
dv/dt  
TJ  
1.5  
°C/W  
V/µs  
°C  
10,000  
-65 to +150  
-65 to +175  
TSTG  
°C  
NOTES:  
(1) 2.0µs pulse width, f=1.0 KHZ  
(2) Pulse test: 300µs pulse width, 1% duty cycle  
(3) Thermal resistance from junction to case per leg  
4/98  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR2535CT/45-E3 VISHAY

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 		DIODE 15 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
MBR2535CT_08 VISHAY

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