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MBR20T45CT

更新时间： 2024-02-04 15:45:58
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纽航 - NIUHANG /
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描述
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIERS

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MBR20T45CT 数据手册

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Niu Hang  
Electronic Co. Ltd  
Specification  
For Approval  
MBR20L45CT,MBR20L45FCT  
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIERS  
45 Volts  
20 Ampers  
Marking  
TO-220-3L  
VOLTAGE  
CURRENT  
ITO-220AB  
FEATURES  
Power pack  
MBR20T45CT  
MBR20T45FCT  
·
·
·
·
·
·
·
·
Metal silicon junction ,majority carrier conduction  
Guard ring for overvoltage protection  
Low power loss ,high efficiency  
High current capability ,low forward voltage drop  
High forward surge capability  
xxxx  
xxxx  
xxxx  
High frequency operation  
MBR20L45FCT  
MBR20L45CT  
Solder bath temperature 275℃ maximum，10s，per JESD22-B106（for TO-220-3L  
and ITO-220AB package）  
·
Component in accordance to RoHS 2011/65/EU  
MECHANICAL DATA  
·
·
·
·
·
Case: JEDEC TO-220-3L、ITO-220AB  
Molding compound meets UL94V-0 flammability rating  
Terminals: Lead solderable per J-STD-002 and JESD22-B102  
Polarity: As marked  
1 2 3  
1
2
3
Mounting Torque: 10 in-Ibs maximum  
TYPICAL APPLICATIONS  
·
For use in low voltage ,high frequency inverters ,DC/DC  
converters,free wheeling ,and polarity protection applications  
Maximum Ratings (Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified )  
Parameter Symbol  
VRRM  
MBR20L45CT/FCT  
Unit  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
IF(AV)  
45  
20  
Maximum average forward rectified current(see fig.1)  
A
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method at rated TL)  
IFSM  
200  
A
IRRM  
TJ ,TSTD  
VAC  
Peak repetitive reverse current per diode at tp=2μs 1KHz  
Operating junction and Storage temperature range  
0.5  
-55 to +150  
1500  
A
℃
V
Isolation voltage(ITO-220AB only)from terminals to heatsink t=1 min  
Electrical Characteristcs (Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified )  
Symbol  
Test Conditions  
TYP.  
0.45  
0.37  
0.35  
0.38  
0.30  
0.28  
80  
MAX.  
0.48  
--  
Unit  
Parameter  
TA=25℃  
TA=100℃  
TA=125℃  
TA=25℃  
TA=100℃  
TA=125℃  
TA=25℃  
Per leg  
IF=10A  
--  
VF1)  
Instaneous forward voltage per diode  
V
0.41  
--  
Per leg  
IF=5A  
--  
200  
15  
uA  
IR2)  
CJ  
TA=100℃  
TA=125℃  
Reverse current per diode  
Typical junction capacitance  
VR=45V  
8
mA  
20  
50  
4V,1MHz  
570  
pF  
Thermal Characteristcs (Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified )  
Parameter  
Symbol  
MBR20L45CT  
2.5  
MBR20L45FCT  
4.5  
Unit  
Typical thermal resistance 3）  
RθJC  
℃/W  
Notes: 1.Pulse test: 300 μs pulse width,1% duty cycle  
2.Pulse test: pulse width≤40ms  
3.Thermal resistance from junction to case  
Http://www.nhel.com.cn  
Data:2014/10/20  
Rev.:B  
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3
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