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MBR16150

更新时间： 2024-09-23 04:41:07
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TSC /
页数 文件大小 规格书
2页 193K
描述
16.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers

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MBR16150 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.58其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：16 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：150 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

MBR16150 数据手册

 浏览型号MBR16150的Datasheet PDF文件第2页 
MBR1635 - MBR16150  
16.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers  
TO-220AC  
.185(4.70)  
.175(4.44)  
.055(1.40)  
.045(1.14)  
.412(10.5)  
MAX  
DIA  
.154(3.91)  
.148(3.74)  
.113(2.87)  
.103(2.62)  
.27(6.86)  
.23(5.84)  
Features  
.594(15.1)  
.587(14.9)  
ꢀ
Plastic material used carries Underwriters  
Laboratory Classifications 94V-0  
PIN1  
2
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Metal silicon junction, majority carrier conduction  
Low power loss, high efficiency  
.16(4.06)  
.14(3.56)  
.11(2.79)  
.10(2.54)  
High current capability, low forward voltage drop  
High surge capability  
.56(14.22)  
.53(13.46)  
.037(0.94)  
.027(0.68)  
For use in low voltage, high frequency inverters,  
free wheeling, and polarity protection applications  
Guardring for overvoltage protection  
ꢀ
ꢀ
.025(0.64)  
.014(0.35)  
High temperature soldering guaranteed:  
o
.205(5.20)  
.195(4.95)  
260 C/10 seconds,0.25”(6.35mm)from case  
PIN 1  
PIN 2  
Mechanical Data  
CASE  
ꢀ
ꢀ
Cases: JEDEC TO-220AC molded plastic body  
Terminals: Pure tin plated, lead free. solderable  
per MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: As marked  
Dimensions in inches and (millimeters)  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Mounting position: Any  
Mounting torque: 5 in. - lbs. max  
Weight: 0.08 ounce, 2.24 grams  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
o
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR  
Symbol  
Type Number  
Units  
1635 1645 1650 1660 1690 16100 16150  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
35  
24  
35  
45  
31  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
90  
63  
90  
100  
70  
150  
105  
150  
V
V
V
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
Maximum Average Forward Rectified Current  
O
16  
32  
A
A
I(AV)  
at Tc=125 C  
Peak Repetitive Forward Current (Rated VR,  
o
IFRM  
Square Wave, 20KHz) at Tc=125 C  
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half  
Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC  
method )  
150  
A
A
V
IFSM  
IRRM  
VF  
Peak Repetitive Reverse Surge Current (Note 1)  
1.0  
0.5  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at:  
o
(Note 2)  
IF=16A, TC=25 C  
o
0.63  
0.57  
0.75  
0.65  
0.85  
0.75  
0.95  
0.92  
IF=16A, TC=125 C  
Maximum Instantaneous Reverse Current  
o
@Tc=25 C at Rated DC Blocking Voltage (Note 2)  
o
0.5  
15  
0.5  
10  
0.3  
7.5  
0.1  
5
mA  
mA  
IR  
@ Tc=125 C  
Voltage Rate of Change (Rated VR)  
Typical Junction Capacitance  
10,000  
500  
V/uS  
pF  
dV/dt  
Cj  
o
Maximum Typical Thermal Resistance(Note 3)  
3.0  
C/W  
R
θJC  
o
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ  
-65 to +150  
-65 to +175  
C
o
TSTG  
C
Notes:  
1. 2.0us Pulse Width, f=1.0 KHz  
2. Pulse Test: 300us Pulse Width, 1% Duty Cycle  
3. Thermal Resistance from Junction to Case Per Leg with Heatsink Size of 2” x 3”x 0.25” Al-Plate.  
Version: A06  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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