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MBR1090

更新时间： 2024-02-19 22:16:20
品牌 Logo 应用领域
SIRECTIFIER 二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes，Tj = -65°C ~ 175°C, Tjm = 175°C。

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MBR1090 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AC包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 221B-04, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：2 weeks风险等级：1.45
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.95 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：90 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

MBR1090 数据手册

 浏览型号MBR1090的Datasheet PDF文件第2页 
MBR1070 thru MBR10100  
Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers  
Dimensions TO-220AC  
Dim.  
Inches  
Min. Max.  
Milimeter  
Min. Max.  
A
C
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
0.500 0.580  
0.560 0.650  
0.380 0.420  
0.139 0.161  
2.300 0.420  
0.100 0.135  
0.045 0.070  
12.70 14.73  
14.23 16.51  
9.66 10.66  
A
C
C(TAB)  
3.54  
5.85  
2.54  
1.15  
-
4.08  
6.85  
3.42  
1.77  
6.35  
0.89  
5.33  
4.82  
0.56  
2.49  
1.39  
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode  
VRRM  
V
VRMS  
V
VDC  
V
-
0.250  
0.025 0.035  
0.190 0.210  
0.140 0.190  
0.015 0.022  
0.080 0.115  
0.025 0.055  
0.64  
4.83  
3.56  
0.38  
2.04  
0.64  
MBR1070  
MBR1080  
MBR1090  
MBR10100  
70  
49  
56  
63  
70  
70  
80  
80  
90  
90  
100  
100  
Symbol  
Characteristics  
Maximum Ratings  
Unit  
I(AV)  
Maximum Average Forward Rectified Current @TC=135oC  
10  
A
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave  
Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)  
IFSM  
150  
dv/dt  
Voltage Rate Of Change (Rated VR)  
10000  
V/us  
IF=10A @TJ=25oC  
Maximum Forward  
0.85  
0.75  
0.80  
VF  
IF=10A @TJ=125oC  
V
Voltage (Note 1)  
IF=20A @TJ=125oC  
Maximum DC Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ=25oC  
0.1  
100  
IR  
mA  
@TJ=125oC  
2.0  
oC/W  
pF  
oC  
ROJC  
CJ  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Typical Junction Capacitance (Note 3)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
1100  
-55 to +150  
-55 to +175  
TJ  
TSTG  
oC  
NOTES: 1. 300us Pulse Width, Duty Cycle 2%.  
2. Thermal Resistance Junction To Case.  
3. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.  
FEATURES  
MECHANICAL DATA  
* Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton  
* Guard ring for transient protection  
* Low power loss, high efficiency  
* High current capability, low VF  
* Case: TO-220AC molded plastic  
* Polarity: As marked on the body  
* Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams  
* Mounting position: Any  
* High surge capacity  
* For use in low voltage, high frequency inverters, free  
whelling, and polarity protection applications  
12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MBR1090/45 VISHAY Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 10A, 90V V(RRM),

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MBR1090/45-E3 VISHAY DIODE 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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