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MBR10200CT

更新时间： 2024-05-23 22:21:32
品牌 Logo 应用领域
德昌 - TC /
页数 文件大小 规格书
4页 161K
描述
TO-220

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MBR10200CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：128 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR10200CT 数据手册

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TAK CHEONG®  
SEMICONDUCTOR  
10A SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Dual High Voltage Schottky Rectifier  
Specification Features:  
1
2
3
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
High Voltage Wide Range Selection, 100V, 150V & 200V  
High Switching Speed Device  
Low Forward Voltage Drop  
TO-220AB  
DEVICE MARKING DIAGRAM  
Low Power Loss and High Efficiency  
Guard Ring for Over-voltage Protection  
High Surge Capability  
L = Tak Cheong Logo  
xxyy = Monthly Date Code  
Line 2 = MBR  
Line 3 = 10xxxCT  
Line 4 = Polarity  
L xxyy  
Line 2  
Line 3  
Line 4  
RoHS Compliant  
Matte Tin(Sn) Lead Finish  
Terminal Leads Surface is Corrosion Resistant  
and can withstand to 260°C Wave Soldering or  
per MIL-STD-750, Method 2026.  
POLARITY CONFIGURATION  
1. Anode  
2. Cathode  
3. Anode  
MAXIMUM RATINGS (Per Leg, unless otherwise specified )  
Symbol  
Parameter  
MBR10100CT  
MBR10150CT  
MBR10200CT  
Units  
VRRM  
VRWM  
VR  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
Maximum DC Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
Per Leg  
100  
150  
200  
V
IF(AV)  
5
10  
A
A
Per Package  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3mS Single Phase @ Rated Load  
IFSM  
80  
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
-65 to +150  
+150  
°C  
°C  
Operating Junction Temperature  
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.  
THERMAL CHARACTERISTIC  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
Maximum Thermal Resistance, Junction-to-Case (per leg)  
Maximum Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (per leg)  
1.5  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
62.5  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Leg)  
TA = 25°C unless otherwise noted  
MBR10100CT MBR10150CT  
MBR10200CT  
Test Condition  
Symbol  
Parameter  
Units  
(Note 1)  
Min  
---  
Max  
100  
Min  
---  
Max  
100  
Min  
---  
Max  
100  
IR  
Reverse Current  
Forward Voltage  
@ rated VR  
IF = 5A  
μA  
0.85  
0.95  
0.92  
1.00  
1.00  
1.25  
VF  
---  
---  
---  
V
IF = 10A  
Note/s:  
1. Tested under pulse condition of 300μS.  
Number: DB-027  
March 2010 Release, Revision F  
Page 1  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR10200C-T SHIKUES

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
MBR10200CT-BP MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT,
MBR10200CT-BP-HF MCC

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 		暂无描述
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