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MBR10150CT PDF预览

MBR10150CT

更新时间： 2024-05-23 22:21:32
品牌 Logo 应用领域
德昌 - TC /
页数 文件大小 规格书
4页 161K
描述
TO-220

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MBR10150CT 技术参数

类别：Diodes配置：Dual,Common Cathode
VRRM (V) max：150IF (A) max：10
VF (V) max：0.89Condition1_IF (A)：5
IFSM (A) max：120IR (uA) max：100
Condition2_VR (V)：150trr (ns) max： -
AEC Qualified：NO最高工作温度：150
最低工作温度：-55MSL等级：/
生命周期：Active是否无铅：YES
符合Reach：YES符合RoHS：YES
ECCN代码：EAR99Package Outlines：TO-220AB

MBR10150CT 数据手册

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TAK CHEONG®  
SEMICONDUCTOR  
10A SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Dual High Voltage Schottky Rectifier  
Specification Features:  
1
2
3
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
High Voltage Wide Range Selection, 100V, 150V & 200V  
High Switching Speed Device  
Low Forward Voltage Drop  
TO-220AB  
DEVICE MARKING DIAGRAM  
Low Power Loss and High Efficiency  
Guard Ring for Over-voltage Protection  
High Surge Capability  
L = Tak Cheong Logo  
xxyy = Monthly Date Code  
Line 2 = MBR  
Line 3 = 10xxxCT  
Line 4 = Polarity  
L xxyy  
Line 2  
Line 3  
Line 4  
RoHS Compliant  
Matte Tin(Sn) Lead Finish  
Terminal Leads Surface is Corrosion Resistant  
and can withstand to 260°C Wave Soldering or  
per MIL-STD-750, Method 2026.  
POLARITY CONFIGURATION  
1. Anode  
2. Cathode  
3. Anode  
MAXIMUM RATINGS (Per Leg, unless otherwise specified )  
Symbol  
Parameter  
MBR10100CT  
MBR10150CT  
MBR10200CT  
Units  
VRRM  
VRWM  
VR  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
Maximum DC Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
Per Leg  
100  
150  
200  
V
IF(AV)  
5
10  
A
A
Per Package  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3mS Single Phase @ Rated Load  
IFSM  
80  
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
-65 to +150  
+150  
°C  
°C  
Operating Junction Temperature  
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.  
THERMAL CHARACTERISTIC  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
Maximum Thermal Resistance, Junction-to-Case (per leg)  
Maximum Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (per leg)  
1.5  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
62.5  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Leg)  
TA = 25°C unless otherwise noted  
MBR10100CT MBR10150CT  
MBR10200CT  
Test Condition  
Symbol  
Parameter  
Units  
(Note 1)  
Min  
---  
Max  
100  
Min  
---  
Max  
100  
Min  
---  
Max  
100  
IR  
Reverse Current  
Forward Voltage  
@ rated VR  
IF = 5A  
μA  
0.85  
0.95  
0.92  
1.00  
1.00  
1.25  
VF  
---  
---  
---  
V
IF = 10A  
Note/s:  
1. Tested under pulse condition of 300μS.  
Number: DB-027  
March 2010 Release, Revision F  
Page 1  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR10150C-T SHIKUES

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
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 		10 Amp High Voltage Power Schottky Barrier Rectifier 150Volts
MBR10150CT-BP-HF MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALOGE
MBR10150CTD DYELEC

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