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MBR10150

更新时间： 2024-02-21 14:18:25

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ASEMI		高压
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3页	168K
描述
Dual High-Voltage Schottky Rectifiers

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MBR10150 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.59
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.84 V
JEDEC-95代码：	TO-277B	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
最大非重复峰值正向电流：	180 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	150 V
最大反向电流：	20 µA	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

MBR10150 数据手册

MBR10150

Dual High-Voltage Schottky Rectifiers

REV:1.01

◆ Half Bridge Rectified、Common Cathode Structure.

◆ Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.

◆ Low Power Waste，High Efficiency.

Typical Reference

Data

VRRM=150V

◆ Beautiful High Temperature Character.

◆ Have Over Voltage protect loop，high reliability.

◆ RoHs Product.

IF(AV)= 10A

● Low Voltage High Frequency Switching Power Supply.

● Low Voltage High Frequency Invers Circuit.

● Low Voltage Continued Circuit and Protection Circuit.

Polarity

■ MBR10150 Schottky diode,in the manufacture uses the main

process technology includes: Silicon epitaxial substrate, P+

loop technology,The potential metal and the silicon alloy

technology, the device uses the two chip, the common cathode,

the plastic half package structure.

Absolute Maximum Ratings

Item

Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage

Maximal DC interdiction voltage

Symbol

VRRM

VDC

MBR10150

150

Unit

150

Average Rectified Forward Current TC=150℃

Device

Whole

IFAV

Unilateral

Forward Peak Surge Current(Rated Load 8.3 Half

Mssine Wave-According to JEDEC Method)

150

IFSM

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-40- +175

℃

TSTG

Electricity Character

Representat

ive

Test Condition

MBR10150

Unit

Item

Minimum

100

TJ =25℃

TJ =125℃

VF TJ =25℃

VR=VRRM

IF=5A

0.94

www.asemi.tw

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