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MBR10100CT

更新时间： 2024-01-31 00:46:37
品牌 Logo 应用领域
TAK_CHEONG 肖特基二极管瞄准线高压功效
页数 文件大小 规格书
4页 157K
描述
10A SCHOTTKY BARRIER DIODE Dual High Voltage Schottky Rectifier

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MBR10100CT 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSFM-T2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.6Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR10100CT 数据手册

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TAK CHEONG®  
SEMICONDUCTOR  
10A SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Dual High Voltage Schottky Rectifier  
Specification Features:  
1
2
3
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
High Voltage Wide Range Selection, 100V, 150V & 200V  
High Switching Speed Device  
Low Forward Voltage Drop  
TO-220AB  
DEVICE MARKING DIAGRAM  
Low Power Loss and High Efficiency  
Guard Ring for Over-voltage Protection  
High Surge Capability  
L = Tak Cheong Logo  
xxyy = Monthly Date Code  
Line 2 = MBR  
Line 3 = 10xxxCT  
Line 4 = Polarity  
L xxyy  
Line 2  
Line 3  
Line 4  
RoHS Compliant  
Matte Tin(Sn) Lead Finish  
Terminal Leads Surface is Corrosion Resistant  
and can withstand to 260°C Wave Soldering or  
per MIL-STD-750, Method 2026.  
POLARITY CONFIGURATION  
1. Anode  
2. Cathode  
3. Anode  
MAXIMUM RATINGS (Per Leg, unless otherwise specified )  
Symbol  
Parameter  
MBR10100CT  
MBR10150CT  
MBR10200CT  
Units  
VRRM  
VRWM  
VR  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
Maximum DC Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
Per Leg  
100  
150  
200  
V
IF(AV)  
5
10  
A
A
Per Package  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3mS Single Phase @ Rated Load  
IFSM  
80  
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
-65 to +150  
+150  
°C  
°C  
Operating Junction Temperature  
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.  
THERMAL CHARACTERISTIC  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
Maximum Thermal Resistance, Junction-to-Case (per leg)  
Maximum Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (per leg)  
1.5  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
62.5  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Leg)  
TA = 25°C unless otherwise noted  
MBR10100CT MBR10150CT  
MBR10200CT  
Test Condition  
Symbol  
Parameter  
Units  
(Note 1)  
Min  
---  
Max  
100  
Min  
---  
Max  
100  
Min  
---  
Max  
100  
IR  
Reverse Current  
Forward Voltage  
@ rated VR  
IF = 5A  
μA  
0.85  
0.95  
0.92  
1.00  
1.00  
1.25  
VF  
---  
---  
---  
V
IF = 10A  
Note/s:  
1. Tested under pulse condition of 300μS.  
Number: DB-027  
March 2010 Release, Revision F  
Page 1  
1234

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