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MBR1004W

更新时间： 2024-02-21 21:05:02

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虹扬 - HY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
3页	354K
描述
Silicon Bridge Rectifiers

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MBR1004W 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	S-PUFM-W4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.75	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	S-PUFM-W4	最大非重复峰值正向电流：	240 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	400 V
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

MBR1004W 数据手册

www.hygroup.com.tw

MBR10005W THRU MBR1010W

Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts

Silicon Bridge Rectifiers

Forward Current - 10 Amperes

Features

● Low forward voltage drop

MBRW

● Electrically isolated base -2000 Volts

● High surge forward current capability

RoHS

COMPLIANT

●Meet UL flammability classification 94V-0

Mechanical Data

● Polarity: Symbol Marked on body

● Mounting position: Any

Note: Products with logo

are made by HY Electronic (Cayman) Limited.

Applications

● General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification,

for power supply, industrial automation applications, etc.

Package Outline Dimensions in Inches (Millimeters)

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

MBR

Characteristics

Symbol

Unit

10005W 1001W 1002W 1004W 1006W 1008W 1010W

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

I(AV)

100

200

140

400

280

600

420

800

560

1000

700

Maximum Average Forward Rectified Current @TC=55 ℃

Peak Forward Surge Current, 8.3mS Single Half Sine-Wave,

Superimposed on Rated Load (JEDEC Method)

IFSM

240

I²t Rating for Fusing (t<8.3mS)

I²t

A²s

240

1.1

Peak Forward Voltage per Diode at 5A DC

Maximum DC Reverse Current at Rated

DC Blocking Voltage per Diode @TJ=25℃

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

μA

-55 to +150

℃

TSTG

MBR10*W-S-00-00

Rev. 11, 18-May-2020

12 3

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