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MBR0540

更新时间： 2024-02-01 07:11:50
品牌 Logo 应用领域
TYSEMI 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 68K
描述
Low forward voltage drop

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MBR0540 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.64Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.41 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：40 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MBR0540 数据手册

  
Product specification  
MBR0540  
SOD-123  
Unit: mm  
+0.1  
+0.05  
2.7-0.1  
1.1-0.05  
■ Features  
● Low forward voltage drop  
● Guard ring construction forTransient protection.  
● High conductance.  
+0.1  
3.7-0.1  
0.1max  
0.50  
0.35  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
Rating  
40  
Unit  
V
Peak repetitive peak reverse voltage  
Working peak  
DC blocking voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
RMS reverse voltage  
VR(RMS)  
IO  
28  
500  
V
mA  
A
Average rectified output current  
Peak forward surge current  
Power dissipation  
IFSM  
Pd  
5.5  
410  
mW  
V/μs  
℃/W  
℃
Voltage rate of change  
dv/dt  
RθJA  
Tstg  
1000  
304  
Thermal resistance junction to ambient  
Storage temperature  
-65 to +125  
■ Electrical Characteristics Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
Testconditons  
Min  
40  
Typ  
Max  
Unit  
Reverse Breakdown Voltage  
V(BR)R  
V
IR=20μA  
IF=0.5A  
IF=1A  
VR=20V  
VR=40V  
0.51  
0.62  
10  
Forward voltage  
VF  
V
IR1  
IR2  
μA  
μA  
pF  
Reverse current  
20  
Capacitance between terminals  
CT  
VR=0V,f=1MHz  
170  
■ Marking  
Marking  
B4U  
http://www.twtysemi.com  
1 of 1  
sales@twtysemi.com  
4008-318-123  
1

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