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MBN400GR12A

更新时间： 2024-02-21 08:27:33
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
4页 65K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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MBN400GR12A 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.21Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW NOISE外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：400 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X4元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2500 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：700 ns标称接通时间 (ton)：350 ns
VCEsat-Max：2.8 VBase Number Matches：1

MBN400GR12A 数据手册

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Spec. No. IGBT-SP-99026(R1)  
Hitachi IGBT Module / Silicon N-Channel IGBT  
MBN400GR12  
[Rated 400A/1200V, Single-pack type]  
FEATURES  
· Low saturation voltage and high speed.  
· Low turn-OFF switching loss.  
OUTLINE DRAWING  
Unit in mm  
108  
93  
· Low noise due to build-in free-wheeling diode.  
(Ultra Soft and Fast recovery Diode (USFD))  
· High reliability structure.  
C
2-M4  
E
· Isolated heat sink (terminals to base).  
E
CIRCUIT DIAGRAM  
G
24  
2-M6  
20  
29  
4- φ 6.5  
E
C
E
G
Weight : 480g  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25°C)  
Item  
Collector-Emitter Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
Symbol  
VCES  
VGES  
IC  
Unit  
V
Value  
1200  
±20  
V
DC  
400  
Collector Current  
Forward Current  
A
A
1ms  
DC  
ICP  
800  
*1  
IF  
400  
800  
1ms  
IFM  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Isolation Voltage  
PC  
W
°C  
°C  
2080  
Tj  
-40 ~ +150  
-40 ~ +125  
Tstg  
Viso  
VRMS  
2500(AC 1 minute)  
*2  
Terminals (M4/M6)  
Mounting  
N·m  
(kgf·cm)  
1.37(14) / 2.94(30)  
Screw Torque  
-
*3  
2.94(30)  
Notes; *1: RMS current of Diode £ 120 Arms  
*2: Recommended value 1.18 / 2.45 N·m (12 / 25 kgf·cm)  
*3: Recommended value 2.45 N·m (25 kgf·cm)  
CHARACTERISTICS (TC=25°C)  
Item  
Symbol  
ICES  
IGES  
VCE(sat)  
VGE(TO)  
Cies  
Unit  
mA  
nA  
V
Min.  
- -  
- -  
-
- -  
-
-
-
-
-
-
Typ.  
Max.  
1.0  
Test Conditions  
VCE=1200V, VGE=0V  
Collector-Emitter Cut-Off Current  
Gate-Emitter Leakage Current  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Gate-Emitter Threshold Voltage  
Input Capacitance  
±500  
2.8  
10  
-
VGE=±20V, VCE=0V  
IC=400A, VGE=15V  
2.2  
V
VCE=5V, IC=400mA  
VCE=10V, VGE=0V, f=1MHz  
pF  
37000  
Rise Time  
tr  
0.25  
0.4  
0.2  
0.7  
2.5  
0.7  
VCC=600V  
RL=1.5W  
RG=2.7W  
Turn-ON Time  
Switching Times  
ton  
0.9  
ms  
*4  
Fall Time  
tf  
0.35  
1.1  
VGE=±15V  
Turn-Off Time  
Peak Forward Voltage Drop  
Reverse Recovery Time  
toff  
VFM  
trr  
V
3.5  
IF=400A, VGE=0V  
- -  
0.4  
ms  
IF=400A, VGE=-10V, di/dt=400A/ms  
IGBT  
Thermal Impedance  
FWD  
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
0.06  
0.10  
- -  
Junction to case  
°C/W  
Notes; *4:RG value is the test condition’s value for decision of the switching times, not recommended value, please determine  
the suitable RG value after the measurement of switching waveforms (overshoot voltage, etc.) with appliance mounted.  
Remark; The specification given herein, is subject to change without prior notice to improve product characteristics.  
1234

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