Datasheet > 存储 > 闪存> MBM29SL800TE-10PW

MBM29SL800TE-10PW

更新时间： 2024-09-16 02:52:43

品牌	Logo	应用领域
飞索 - SPANSION		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
52页	409K
描述
FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MBM29SL800TE-10PW 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	PLASTIC, SCSP-45
针数：	45	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	100 ns	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PBGA-B45	JESD-609代码：	e0
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,15	端子数量：	45
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA45,5X9,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	1.8 V
编程电压：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
Base Number Matches：	1

MBM29SL800TE-10PW 数据手册

浏览型号MBM29SL800TE-10PW的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号MBM29SL800TE-10PW的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号MBM29SL800TE-10PW的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号MBM29SL800TE-10PW的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号MBM29SL800TE-10PW的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号MBM29SL800TE-10PW的Datasheet PDF文件第7页

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20911-1E

FLASH MEMORY

CMOS

8 M (1 M × 8/512 K × 16) BIT

MBM29SL800TE/BE^-90/¹⁰

■ DESCRIPTION

The MBM29SL800TE/BE are a 8 M-bit, 1.8 V-only Flash memory organized as 1 Mbytes of 8 bits each or 512

Kwords of 16 bits each. The MBM29SL800TE/BE are offered in a 48-ball FBGA and 45-ball SCSP packages.

These devices are designed to be programmed in-system with the standard system 1.8 V VCC supply. 12.0 V VPP

and 5.0 V VCC are not required for write or erase operations. The devices can also be reprogrammed in standard

EPROM programmers.

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Part No.

MBM29SL800TE/BE-90

MBM29SL800TE/BE-10

V^CC

1.65 V to 1.95 V

Max Address Access Time

Max CE Access Time

Max OE Access Time

90 ns

30 ns

100 ns

35 ns

■ PACKAGES

48-ball Plastic FBGA

45-ball Plastic SCSP

(BGA-48P-M20)

(WLP-45P-M02)

12 3 4 5 6 7...52

中文翻译

下载PDF

与MBM29SL800TE-10PW相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29SL800TE-10PW-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX16, 100ns, PBGA45, PLASTIC, SCSP-45
MBM29SL800TE-90	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
MBM29SL800TE-90PBT	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
MBM29SL800TE-90PBT-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX16, 90ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MBM29SL800TE-90PW	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
MBM29SL800TE-90PW-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX16, 90ns, PBGA45, PLASTIC, SCSP-45
MBM29XL12DF	FUJITSU	获取价格	PAGE MODE FLASH MEMORY CMOS 128M BIT
MBM29XL12DF-70	FUJITSU	获取价格	PAGE MODE FLASH MEMORY CMOS 128M BIT
MBM29XL12DF70PBT	SPANSION	获取价格	Flash, 4MX32, 70ns, PBGA96, PLASTIC, FBGA-96
MBM29XL12DF70PBT-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 4MX32, 70ns, PBGA96, PLASTIC, FBGA-96

与MBM29SL800TE-10PW相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

9
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

8
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

90
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

80

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MBM29SL800TE-10PW

MBM29SL800TE-10PW 技术参数

MBM29SL800TE-10PW 数据手册

与MBM29SL800TE-10PW相关器件

与MBM29SL800TE-10PW相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MBM29SL800TE-10PW

MBM29SL800TE-10PW 技术参数

MBM29SL800TE-10PW 数据手册

与MBM29SL800TE-10PW相关器件

与MBM29SL800TE-10PW相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？