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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.29 | 最长访问时间： | 100 ns |
| 备用内存宽度： | 8 | 启动块： | TOP |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 编程电压： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.2 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 12 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM29SL800TD-10TR | SPANSION |
获取价格 |
暂无描述 |
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| MBM29SL800TD-10TR | FUJITSU |
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Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
|
| MBM29SL800TD-10TR-E1 | SPANSION |
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Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
|
| MBM29SL800TD-12PBT | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT |
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| MBM29SL800TD-12PBT-E1 | SPANSION |
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Flash, 512KX16, 120ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48 |
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| MBM29SL800TD-12PFTN | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT |
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| MBM29SL800TD-12PFTN-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 512KX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 |
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| MBM29SL800TD-12PFTR | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT |
|
| MBM29SL800TD-12PFTR-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 512KX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
|
| MBM29SL800TD-12PW | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT |
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