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MBM29SL800BE-10PW

更新时间： 2024-09-16 02:51:31

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飞索 - SPANSION		闪存存储内存集成电路
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52页	409K
描述
FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT

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MBM29SL800BE-10PW 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	PLASTIC, SCSP-45
针数：	45	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.76	最长访问时间：	100 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PBGA-B45
JESD-609代码：	e0	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,15
端子数量：	45	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA45,5X9,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	1.8 V	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	BALL
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20911-1E

FLASH MEMORY

CMOS

8 M (1 M × 8/512 K × 16) BIT

MBM29SL800TE/BE^-90/¹⁰

■ DESCRIPTION

The MBM29SL800TE/BE are a 8 M-bit, 1.8 V-only Flash memory organized as 1 Mbytes of 8 bits each or 512

Kwords of 16 bits each. The MBM29SL800TE/BE are offered in a 48-ball FBGA and 45-ball SCSP packages.

These devices are designed to be programmed in-system with the standard system 1.8 V VCC supply. 12.0 V VPP

and 5.0 V VCC are not required for write or erase operations. The devices can also be reprogrammed in standard

EPROM programmers.

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Part No.

MBM29SL800TE/BE-90

MBM29SL800TE/BE-10

V^CC

1.65 V to 1.95 V

Max Address Access Time

Max CE Access Time

Max OE Access Time

90 ns

30 ns

100 ns

35 ns

■ PACKAGES

48-ball Plastic FBGA

45-ball Plastic SCSP

(BGA-48P-M20)

(WLP-45P-M02)

12 3 4 5 6 7...52

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MBM29SL800BE-90PBT	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
MBM29SL800BE-90PW	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
MBM29SL800BE-90PW-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX16, 90ns, PBGA45, PLASTIC, SCSP-45
MBM29SL800TD-10	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
MBM29SL800TD-10PBT	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
MBM29SL800TD-10PBT-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX16, 100ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MBM29SL800TD-10PFTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
MBM29SL800TD-10PFTR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
MBM29SL800TD-10PFTR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48

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