Datasheet > 存储 > 闪存> MBM29SL800BD-10PFTN

MBM29SL800BD-10PFTN

更新时间： 2024-09-16 02:51:31

品牌	Logo	应用领域
飞索 - SPANSION		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
56页	505K
描述
FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT

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MBM29SL800BD-10PFTN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	PLASTIC, TSOP1-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	ALSO CONFIGURABLE AS 1M X 8
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,15	端子数量：	48
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	2 V
编程电压：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

MBM29SL800BD-10PFTN 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20871-5E

FLASH MEMORY

CMOS

8 M (1 M × 8/512 K × 16) BIT

MBM29SL800TD/BD^-10/12

■ DESCRIPTION

The MBM29SL800TD/BD are a 8 M-bit, 1.8 V-only Flash memory organized as 1 Mbytes of 8 bits each or 512

Kwords of 16 bits each. The MBM29SL800TD/BD are offered in a 48-pin TSOP (I) , 48-ball FBGA and 48-ball

SCSP packages. These devices are designed to be programmed in-system with the standard system 3.0 V VCC

supply. 12.0 V VPP and 5.0 V VCC are not required for write or erase operations. The devices can also be repro-

grammed in standard EPROM programmers.

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Part No.

V^CC= +2.0 V ± 0.2

MBM29SL800TD/MBM29SL800BD

Ordering Part No.

−10

100

−12

Max Address Access Time (ns)

Max CE Access Time (ns)

Max OE Access Time (ns)

120

■ PACKAGES

48-pin Plastic TSOP (I)

48-pin Plastic FBGA

48-pin Plastic SCSP

Marking Side

(FPT-48P-M19)

(FPT-48P-M20)

(BGA-48P-M12)

(WLP-48P-M03)

12 3 4 5 6 7...56

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29SL800BD-10PFTN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29SL800BD-10PFTR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
MBM29SL800BD-10PW	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
MBM29SL800BD-10PW-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX16, 100ns, PBGA48, PLASTIC, SCSP-48
MBM29SL800BD-10TN	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29SL800BD-10TN	FUJITSU	获取价格	Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29SL800BD-10TN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29SL800BD-10TR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29SL800BD-12PBT	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
MBM29SL800BD-12PBT-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX16, 120ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48

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