Datasheet > 存储 > 闪存> MBM29SL160TD-10PFTN

MBM29SL160TD-10PFTN

更新时间： 2024-09-14 22:08:23

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
61页	675K
描述
16M (2M x 8/1M x 16) BIT

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MBM29SL160TD-10PFTN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, TSOP1-48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	CAN BE ORGANIZED AS 1M X 16
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	8,31	端子数量：	48
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	2 V	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	8K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	2 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

MBM29SL160TD-10PFTN 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20877-1E

FLASH MEMORY

CMOS

16M (2M × 8/1M × 16) BIT

MBM29SL160TD^-10/-12/MBM29SL160BD^-10/-12

■ FEATURES

• Single 1.8 V read, program, and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

48-pin TSOP(I) (Package suffix: PFTN – Normal Bend Type, PFTR – Reversed Bend Type)

48-ball FBGA (Package suffix: PBT)

• Minimum 100,000 program/erase cycles

• High performance

100 ns maximum access time

• Sector erase architecture

Eight 4K word and thirty one 32K word sectors in word mode

Eight 8K byte and thirty one 64K byte sectors in byte mode

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase.

• Boot Code Sector Architecture

T = Top sector

B = Bottom sector

• One Time Protect (OTP) region

256 Byte of OTP, accessible through a new “OTP Enable” command sequence

Factory serialized and protected to provide a secure electronic serial number (ESN)

• WP/ACC input pin

At V^IL, allows protection of boot sectors, regardless of sector protection/unprotection status

At V^IH, allows removal of boot sector protection

At V^HH, increases program performance

• Embedded Erase^TMAlgorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded Program^TMAlgorithms

Automatically writes and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready/Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

(Continued)

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29SL160TD-10PFTR	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29SL160TD-12	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29SL160TD-12PBT	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29SL160TD-12PFTN	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29SL160TD-12PFTR	FUJITSU	获取价格	16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29SL800BD-10PBT	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
MBM29SL800BD-10PBT-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX16, 100ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MBM29SL800BD-10PFTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT
MBM29SL800BD-10PFTN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29SL800BD-10PFTR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8 M (1 M X 8/512 K X 16) BIT

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