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MBM29LV650UE12TN

更新时间： 2024-11-08 22:08:27

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
57页	587K
描述
64M (4M x 16) BIT

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MBM29LV650UE12TN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	PLASTIC, TSOP1-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.87	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	100000 ERASE CYCLES
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	128	端子数量：	48
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	32K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

MBM29LV650UE12TN 数据手册

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20882-2E

FLASH MEMORY

CMOS

64M (4M × 16) BIT

MBM29LV650UE/651UE ^-90/12

■ DESCRIPTION

The MBM29LV650UE/651UE is a 64M-bit, 3.0 V-only Flash memory organized as 4M words of 16 bits each. The

device is designed to be programmed in system with the standard system 3.0 V VCC supply. 12.0 V VPP and

5.0 V VCC are not required for write or erase operations. The devices can also be reprogrammed in standard

EPROM programmers.

To eliminate bus contention the devices have separate chip enable (CE), write enable (WE), and output enable

(OE) controls.

The MBM29LV650UE/651UE is entirely command set compatible with JEDEC single-power-supply Flash stan-

dard. Commands are written to the command register using standard microprocessor write timings. Register

contents serve as input to an internal state-machine which controls the erase and programming circuitry. Write

cycles also internally latch addresses and data needed for the programming and erase operations.

Typically, each sector can be programmed and verified in about 0.5 seconds.

(Continued)

■ PRODUCT LINEUP

Part No.

V^CC= 3.3 V

MBM29LV650UE/651UE

+0.3 V

–0.3 V

—

Ordering Part No.

+0.6 V

–0.3 V

V^CC= 3.0 V

Max. Address Access Time (ns)

Max. CE Access Time (ns)

Max. OE Access Time (ns)

120

■ PACKAGES

48-pin plastic TSOP (I)

Marking Side

(FPT-48P-M19)

(FPT-48P-M20)

12 3 4 5 6 7...57

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29LV650UE-12TN	SPANSION	获取价格	4MX16 FLASH 2.7V PROM, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29LV650UE12TN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 4MX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29LV650UE12TR	SPANSION	获取价格	Flash, 4MX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29LV650UE12TR	FUJITSU	获取价格	64M (4M x 16) BIT
MBM29LV650UE-12TR	FUJITSU	获取价格	4MX16 FLASH 2.7V PROM, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29LV650UE12TR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 4MX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29LV650UE-90	FUJITSU	获取价格	64M (4M x 16) BIT
MBM29LV650UE90TN	FUJITSU	获取价格	64M (4M x 16) BIT
MBM29LV650UE-90TN	FUJITSU	获取价格	暂无描述
MBM29LV650UE90TN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 4MX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48

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