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MBM29LV320TE10TN

更新时间： 2024-10-30 23:05:43

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		/
页数	文件大小	规格书
64页	816K
描述
32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT

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MBM29LV320TE10TN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	PLASTIC, TSOP1-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.24	最长访问时间：	100 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	8,63	端子数量：	48
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	8K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

MBM29LV320TE10TN 数据手册

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20894-1E

FLASH MEMORY

CMOS

32 M (4 M × 8/2 M × 16) BIT

MBM29LV320TE80/90/10

MBM29LV320BE80/90/10

■ DESCRIPTION

The MBM29LV320TE/BE is 32 M-bit, 3.0 V-only Flash memory organized as 4 M bytes of 8 bits each or 2 M words

of 16 bits each. The device is offered in a 48-pin TSOP (I) and 63-ball FBGA packages. This device is designed

to be programmed in-system with the standard system 3.0 V VCC supply. 12.0 V VPP and 5.0 V VCC are not required

for write or erase operations. The device can also be reprogrammed in standard EPROM programmers.

The standard device offers access times 80 ns, 90 ns and 100 ns, allowing operation of high-speed microproces-

sors without wait state. To eliminate bus contention the device has separate chip enable(CE), write enable(WE)

and output enable (OE) controls.

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

MBM29LV320TE/BE

Part No.

100

VCC = 3.0 V

100

+0.3 V

+0.6 V

−0.3 V

Power Supply Voltage (V)

Max Address Access Time (ns)

Max CE Access Time (ns)

Max OE Access Time (ns)

V^CC= 3.3 V

−0.3 V

100

■ PACKAGES

48-pin plastic TSOP (I)

63-ball plastic FBGA

Marking Side

(FPT-48P-M19)

(FPT-48P-M20)

(BGA-63P-M01)

12 3 4 5 6 7...64

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29LV320TE10TN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX16, 100ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29LV320TE10TR	FUJITSU	获取价格	32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320TE10TR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY
MBM29LV320TE10TR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX16, 100ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29LV320TE80	FUJITSU	获取价格	32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320TE80PBT	FUJITSU	获取价格	32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320TE80PBT	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY
MBM29LV320TE80TN	FUJITSU	获取价格	32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320TE80TN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY
MBM29LV320TE80TR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY

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