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MBM29LV320BE90TN

更新时间： 2024-01-06 11:21:46
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU /
页数 文件大小 规格书
64页 816K
描述
32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT

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MBM29LV320BE90TN 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP1包装说明：TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.19最长访问时间：90 ns
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：8,63端子数量：48
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：8K,64K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.04 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

MBM29LV320BE90TN 数据手册

 浏览型号MBM29LV320BE90TN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBM29LV320BE90TN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MBM29LV320BE90TN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MBM29LV320BE90TN的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MBM29LV320BE90TN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MBM29LV320BE90TN的Datasheet PDF文件第7页 
FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-20894-1E  
FLASH MEMORY  
CMOS  
32 M (4 M × 8/2 M × 16) BIT  
MBM29LV320TE80/90/10  
MBM29LV320BE80/90/10  
■ DESCRIPTION  
The MBM29LV320TE/BE is 32 M-bit, 3.0 V-only Flash memory organized as 4 M bytes of 8 bits each or 2 M words  
of 16 bits each. The device is offered in a 48-pin TSOP (I) and 63-ball FBGA packages. This device is designed  
to be programmed in-system with the standard system 3.0 V VCC supply. 12.0 V VPP and 5.0 V VCC are not required  
for write or erase operations. The device can also be reprogrammed in standard EPROM programmers.  
The standard device offers access times 80 ns, 90 ns and 100 ns, allowing operation of high-speed microproces-  
sors without wait state. To eliminate bus contention the device has separate chip enable(CE), write enable(WE)  
and output enable (OE) controls.  
(Continued)  
■ PRODUCT LINE UP  
MBM29LV320TE/BE  
Part No.  
80  
90  
100  
VCC = 3.0 V  
100  
+0.3 V  
+0.6 V  
−0.3 V  
Power Supply Voltage (V)  
Max Address Access Time (ns)  
Max CE Access Time (ns)  
Max OE Access Time (ns)  
VCC = 3.3 V  
−0.3 V  
80  
80  
30  
90  
90  
35  
100  
35  
■ PACKAGES  
48-pin plastic TSOP (I)  
48-pin plastic TSOP (I)  
63-ball plastic FBGA  
Marking Side  
Marking Side  
(FPT-48P-M19)  
(FPT-48P-M20)  
(BGA-63P-M01)  
1234567...64

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与MBM29LV320BE90TN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBM29LV320BE90TN-E1 SPANSION

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 		Flash, 2MX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29LV320BE90TR FUJITSU

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 		32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320BE90TR SPANSION

获取价格

 		FLASH MEMORY
MBM29LV320BE90TR-E1 SPANSION

获取价格

 		Flash, 2MX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29LV320TE FUJITSU

获取价格

 		32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320TE SPANSION

获取价格

 		FLASH MEMORY
MBM29LV320TE10 FUJITSU

获取价格

 		32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320TE10PBT FUJITSU

获取价格

 		32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320TE10PBT SPANSION

获取价格

 		FLASH MEMORY
MBM29LV320TE10PBT-E1 SPANSION

获取价格

 		Flash, 2MX16, 100ns, PBGA63, PLASTIC, FBGA-63

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