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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | PLASTIC, FBGA-63 |
| 针数： | 63 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.85 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 90 ns | 备用内存宽度： | 8 |
| 启动块： | BOTTOM | 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 11 mm | 内存密度： | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 8,63 |
| 端子数量： | 63 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 2MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA63,8X12,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 3.3 V | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 部门规模： | 8K,64K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 7 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM29LV320BE90TN | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| MBM29LV320BE90TN | FUJITSU |
获取价格 |
32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
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| MBM29LV320BE90TN-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 2MX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 |
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| MBM29LV320BE90TR | FUJITSU |
获取价格 |
32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
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| MBM29LV320BE90TR | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| MBM29LV320BE90TR-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 2MX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
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| MBM29LV320TE | FUJITSU |
获取价格 |
32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
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| MBM29LV320TE | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| MBM29LV320TE10 | FUJITSU |
获取价格 |
32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
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| MBM29LV320TE10PBT | FUJITSU |
获取价格 |
32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
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