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MBM29LV200TC-90PFTR

更新时间： 2024-01-16 03:56:29

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
54页	464K
描述
2M (256K X 8/128K X 16) BIT

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MBM29LV200TC-90PFTR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	CONFIGURABLE AS 128K X 16
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,3	端子数量：	48
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1-R
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
反向引出线：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

MBM29LV200TC-90PFTR 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20865-3E

FLASH MEMORY

CMOS

2M (256K × 8/128K × 16) BIT

MBM29LV200TC^-70/-90/-12/MBM29LV200BC^-70/-90/-12

■ FEATURES

• Single 3.0 V read, program, and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

48-pin TSOP(I) (Package suffix: PFTN – Normal Bend Type, PFTR – Reversed Bend Type)

44-pin SOP (Package suffix: PF)

• Minimum 100,000 program/erase cycles

• High performance

70 ns maximum access time

• Sector erase architecture

One 8K word, two 4K words, one 16K word, and three 32K words sectors in word mode

One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and three 64K bytes sectors in byte mode

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase

• Boot Code Sector Architecture

T = Top sector

B = Bottom sector

• Embedded Erase^TMAlgorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded Program^TMAlgorithms

Automatically writes and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready/Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Automatic sleep mode

When addresses remain stable, automatically switch themselves to low power mode

• Low V^CCwrite inhibit ≤ 2.5 V

• Erase Suspend/Resume

Suspends the erase operation to allow a read in another sector within the same device

(Continued)

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29LV200TC-90PFTR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 128KX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29LV320BE	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY
MBM29LV320BE	FUJITSU	获取价格	32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320BE10	FUJITSU	获取价格	32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320BE10PBT	FUJITSU	获取价格	32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320BE10PBT	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY
MBM29LV320BE10PBT-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX16, 100ns, PBGA63, PLASTIC, FBGA-63
MBM29LV320BE10TN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY
MBM29LV320BE10TN	FUJITSU	获取价格	32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320BE10TN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX16, 100ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48

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