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MBM29LV160TM90PBT

更新时间： 2024-10-01 05:22:27

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飞索 - SPANSION		存储
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57页	521K
描述
FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM

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MBM29LV160TM90PBT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	PLASTIC, FBGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.77	最长访问时间：	90 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	8 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,31	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-20 °C	组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20906-3E

FLASH MEMORY

CMOS

16 M (2M × 8/1M × 16) BIT

MirrorFlash^TM*

MBM29LV160TM/BM ⁹⁰

■ DESCRIPTION

The MBM29LV160TM/BM is a 32M-bit, 3.0 V-only Flash memory organized as 4M bytes by 8 bits or 2M words

by 16 bits. The MBM29LV160TM/BM is offered in 48-pin TSOP(1) and 48-ball FBGA. The device is designed to

be programmed in-system with the standard 3.0 V VCC supply. 12.0 V VPP and 5.0 V VCC are not required for

program or erase operations. The devices can also be reprogrammed in standard EPROM programmers.

The standard MBM29LV160TM/BM offers access times of 90 ns, allowing operation of high-speed microproces-

sors without wait states. To eliminate bus contention the devices have separate chip enable (CE), write enable

(WE), and output enable (OE) controls.

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

MBM29LV160TM/BM

Part No.

V^CC

3.0 V to 3.6 V

90 ns

Max Address Access Time

Max CE Access Time

Max OE Access Time

90 ns

25 ns

■ PACKAGES

48-pin plastic TSOP (1)

48-ball plastic FBGA

Marking Side

(FPT-48P-M19)

(BGA-48P-M20)

* : MirrorFlash^TMis a trademark of Fujitsu Limited.

Notes : • Programming in byte mode ( × 8) is prohibited.

• Programming to the address that already contains data is prohibited (It is mandatory to erase data prior to

overprogram on the same address) .

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29LV160TM90PBT-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 90ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MBM29LV160TM90TN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM
MBM29LV200B-10PF	FUJITSU	获取价格	Flash, 256KX8, 100ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44
MBM29LV200B-10PFTN	FUJITSU	获取价格	Flash, 256KX8, 100ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29LV200B-10PFTR	FUJITSU	获取价格	Flash, 256KX8, 100ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29LV200BC	FUJITSU	获取价格	2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29LV200BC-12	FUJITSU	获取价格	2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29LV200BC-12PFTN	FUJITSU	获取价格	2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29LV200BC-12PFTR	FUJITSU	获取价格	2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29LV200BC-12PFTR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 256KX8, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48

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