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MBM29LV080A-70PTV

更新时间: 2024-02-28 16:07:09
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
49页 382K
描述
8M (1M x 8) BIT

MBM29LV080A-70PTV 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP1
包装说明:PLASTIC, TSOP1-40针数:40
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.78
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
命令用户界面:YES数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PDSO-G40长度:18.4 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:16端子数量:40
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP40,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:64K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.035 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:10 mmBase Number Matches:1

MBM29LV080A-70PTV 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-20870-4E  
FLASH MEMORY  
CMOS  
8M (1M × 8) BIT  
MBM29LV080A-70/-90/-12  
FEATURES  
Address specification is not necessary during command sequence  
Single 3.0 V read, program and erase  
Minimizes system level power requirements  
Compatible with JEDEC-standard commands  
Uses same software commands as E2PROMs  
Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts  
40-pin TSOP (I) (Package suffix: PTN-Normal Bend Type, PTR-Reversed Bend Type)  
Minimum 100,000 program/erase cycles  
(Continued)  
PRODUCT LINE UP  
Part No.  
MBM29LV080A  
+0.3 V  
–0.3 V  
VCC = 3.3 V  
-70  
Ordering Part No.  
+0.6 V  
–0.3 V  
VCC = 3.0 V  
-90  
-12  
Max. Address Access Time (ns)  
Max. CE Access Time (ns)  
Max. OE Access Time (ns)  
70  
70  
30  
90  
90  
35  
120  
120  
50  
PACKAGE  
40-pin plastic TSOP (I)  
40-pin plastic TSOP (I)  
Marking Side  
Marking Side  
(FPT-40P-M06)  
(FPT-40P-M07)  

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