是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP1 |
包装说明: | TSOP1, TSSOP40,.8,20 | 针数: | 40 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.85 |
最长访问时间: | 90 ns | 启动块: | TOP |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G40 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1,2,1,15 |
端子数量: | 40 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP40,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 3/3.3 V | 编程电压: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 部门规模: | 16K,8K,32K,64K |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.035 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 10 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM29LV008TA-90PTN-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40 | |
MBM29LV008TA-90PTR | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 8M (1M X 8) BIT | |
MBM29LV008TA-90PTR | FUJITSU |
获取价格 |
8M (1M X 8) BIT | |
MBM29LV016B | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M x 8) BIT | |
MBM29LV016B-12 | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M x 8) BIT | |
MBM29LV016B-12PFTN | FUJITSU |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40 | |
MBM29LV016B-12PTN | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M x 8) BIT | |
MBM29LV016B-12PTR | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M x 8) BIT | |
MBM29LV016B-12PTR-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40 | |
MBM29LV016B-80 | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M x 8) BIT |