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MBM29LV008TA-12PTN

更新时间： 2024-11-10 22:25:11

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
51页	419K
描述
8M (1M X 8) BIT

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MBM29LV008TA-12PTN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP40,.8,20
针数：	40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	100K PROGRAM/ERASE CYCLES MIN
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,15
端子数量：	40	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP40,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20858-4E

FLASH MEMORY

CMOS

8M (1M × 8) BIT

MBM29LV008TA^-70/-90/-12/MBM29LV008BA^-70/-90/-12

■ FEATURES

• Single 3.0 V read, program, and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

40-pin TSOP(I) (Package suffix: PTN – Normal Bend Type, PTR – Reversed Bend Type)

• Minimum 100,000 program/erase cycles

• High performance

70 ns maximum access time

• Sector erase architecture

One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and fifteen 64K bytes

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase

• Boot Code Sector Architecture

T = Top sector

B = Bottom sector

• Embedded Erase^TMAlgorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded Program^TMAlgorithms

Automatically writes and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready/Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Automatic sleep mode

When addresses remain stable, automatically switch themselves to low power mode

• Low V^CCwrite inhibit ≤ 2.5 V

• Erase Suspend/Resume

Suspends the erase operation to allow a read data in another sector within the same device

• Sector protection

Hardware method disables any combination of sectors from program or erase operations

• Sector Protection Set function by Extended sector protection command

• Temporary sector unprotection

Temporary sector unprotection via the RESET pin

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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MBM29LV008TA-70	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8M (1M X 8) BIT
MBM29LV008TA-70	FUJITSU	获取价格	8M (1M X 8) BIT
MBM29LV008TA-70PTN	FUJITSU	获取价格	8M (1M X 8) BIT
MBM29LV008TA-70PTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8M (1M X 8) BIT
MBM29LV008TA-70PTR	FUJITSU	获取价格	8M (1M X 8) BIT
MBM29LV008TA-70PTR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8M (1M X 8) BIT
MBM29LV008TA-70PTR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX8, 70ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40
MBM29LV008TA-90	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8M (1M X 8) BIT
MBM29LV008TA-90	FUJITSU	获取价格	8M (1M X 8) BIT

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