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MBM29LV002B-10PTN

更新时间: 2024-09-22 08:35:39
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 光电二极管内存集成电路存储闪存
页数 文件大小 规格书
45页 3490K
描述
Flash, 256KX8, 100ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40

MBM29LV002B-10PTN 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP1, TSSOP40,.8,20Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
其他特性:MINIMUM 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; AUTOMATIC WRITE启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PDSO-G40JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1部门数/规模:1,2,1,3
端子数量:40字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP40,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.035 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:10 mm

MBM29LV002B-10PTN 数据手册

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