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MBM29LV001TC-55PD

更新时间： 2024-09-20 22:10:27

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
49页	404K
描述
1M (128K x 8) BIT

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MBM29LV001TC-55PD 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, LCC-32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	其他特性：	MINIMUM 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,7	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-20 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.56 mm	部门规模：	8K,4K,16K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.035 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20861-3E

FLASH MEMORY

CMOS

1M (128K × 8) BIT

MBM29LV001TC^-55/-70/MBM29LV001BC^-55/-70

■ FEATURES

• Single 3.0 V read, program, and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

32-pin TSOP(I) (Package suffix: PFTN – Normal Bend Type, PFTR – Reversed Bend Type)

32-pin PLCC (Package suffix: PD)

• Minimum 100,000 program/erase cycles

• High performance

55 ns maximum access time

• Sector erase architecture

One 8K byte, two 4K bytes, and seven 16K bytes

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase

• Boot Code Sector Architecture

T = Top sector

B = Bottom sector

• Embedded Erase^TMAlgorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded Program^TMAlgorithms

Automatically writes and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Hardware RESET pin

Resets internal state machine to the read mode

• Automatic sleep mode

When addresses remain stable, automatically switch themselves to low power mode

• Low V^CCwrite inhibit ≤ 2.5 V

• Erase Suspend/Resume

Suspends the erase operation to allow a read data in another sector within the same device

• Sector protection

Hardware method disables any combination of sectors from program or erase operations

• Sector Protection Set function by Extended sector protection command

• Temporary sector unprotection

Temporary sector unprotection via the RESET pin

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29LV001TC-55PFTN	FUJITSU	获取价格	1M (128K x 8) BIT
MBM29LV001TC-55PFTR	FUJITSU	获取价格	1M (128K x 8) BIT
MBM29LV001TC-70	FUJITSU	获取价格	1M (128K x 8) BIT
MBM29LV001TC-70PD	FUJITSU	获取价格	1M (128K x 8) BIT
MBM29LV001TC-70PFTN	FUJITSU	获取价格	1M (128K x 8) BIT
MBM29LV001TC-70PFTR	FUJITSU	获取价格	1M (128K x 8) BIT
MBM29LV002B-10PNS	FUJITSU	获取价格	Flash, 256KX8, 100ns, PDSO40, PLASTIC, SON-40
MBM29LV002B-10PTN	FUJITSU	获取价格	Flash, 256KX8, 100ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40
MBM29LV002B-10PTR	FUJITSU	获取价格	Flash, 256KX8, 100ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40
MBM29LV002B-12PTN	FUJITSU	获取价格	Flash, 256KX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40

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