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Datasheet > 存储 > 闪存> MBM29F800TA-90PF
MBM29F800TA-90PF PDF预览

MBM29F800TA-90PF

更新时间： 2024-09-20 22:58:07
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
48页 516K
描述
8M (1M X 8/512K X 16) BIT

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MBM29F800TA-90PF 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：PLASTIC, SOP-44
针数：44Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.33Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns其他特性：MINIMUM 100K WRITE/ERASE CYCLES
备用内存宽度：8启动块：TOP
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：28.45 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,15端子数量：44
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP44,.63封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：2.5 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：13 mm
Base Number Matches：1

MBM29F800TA-90PF 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-20841-4E  
FLASH MEMORY  
CMOS  
8M (1M × 8/512K × 16) BIT  
MBM29F800TA-55/-70/-90/MBM29F800BA-55/-70/-90  
■ FEATURES  
• Single 5.0 V read, write, and erase  
Minimizes system level power requirements  
• Compatible with JEDEC-standard commands  
Uses same software commands as E2PROMs  
• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts  
48-pin TSOP(I) (Package suffix: PFTN – Normal Bend Type, PFTR – Reversed Bend Type)  
44-pin SOP (Package suffix: PF)  
• Minimum 100,000 write/erase cycles  
• High performance  
55 ns maximum access time  
• Sector erase architecture  
One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and fifteen 64K bytes.  
Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase.  
• Boot Code Sector Architecture  
T = Top sector  
B = Bottom sector  
• Embedded EraseTM Algorithms  
Automatically pre-programs and erases the chip or any sector  
• Embedded ProgramTM Algorithms  
Automatically writes and verifies data at specified address  
• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion  
• Ready/Busy output (RY/BY)  
Hardware method for detection of program or erase cycle completion  
• Low Vcc write inhibit ≤ 3.2 V  
• Erase Suspend/Resume  
Suspends the erase operation to allow a read data in another sector within the same device  
• Hardware RESET pin  
Resets internal state machine to the read mode  
• Sector protection  
Hardware method disables any combination of sectors from write or erase operations  
• Temporary sector unprotection  
Temporary sector unprotection via the RESET pin.  
Embedded EraseTM and Embedded ProgramTM are trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.  
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与MBM29F800TA-90PF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBM29F800TA-90PF-E1 SPANSION

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 		Flash, 512KX16, 90ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44
MBM29F800TA-90PFTN FUJITSU

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 		8M (1M X 8/512K X 16) BIT
MBM29F800TA-90PFTN SPANSION

获取价格

 		FLASH MEMORY
MBM29F800TA-90PFTR SPANSION

获取价格

 		FLASH MEMORY
MBM29F800TA-90PFTR FUJITSU

获取价格

 		8M (1M X 8/512K X 16) BIT
MBM29F800TA-90PFTR-E1 SPANSION

获取价格

 		暂无描述
MBM29FS12DH12PBT SPANSION

获取价格

 		Flash, 8MX16, 55ns, PBGA80, PLASTIC, FBGA-80
MBM29FS12DH12PBT-E1 SPANSION

获取价格

 		Flash, 8MX16, 55ns, PBGA80, PLASTIC, FBGA-80
MBM29FS12DH15PBT SPANSION

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 		BURST MODE FLASH MEMORY CMOS 128M (8M X 16) BIT
MBM29FS12DH15PBT-E1 SPANSION

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 		Flash, 8MX16, 15ns, PBGA80, PLASTIC, FBGA-80

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