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MBM29F400BC-70PF

更新时间： 2024-11-25 22:58:07

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
47页	522K
描述
4M (512K X 8/256K X 16) BIT

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MBM29F400BC-70PF 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP44,.63
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.21	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	CAN ALSO BE CONFIGURABLE AS 256K X 16; 100K WRITE/ERASE CYCLES MIN	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	28.45 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,7
端子数量：	44	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP44,.63
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	2.5 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	13 mm	Base Number Matches：	1

MBM29F400BC-70PF 数据手册

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20851-4E

FLASH MEMORY

CMOS

4M (512K × 8/256K × 16) BIT

MBM29F400TC^-55/-70/-90/MBM29F400BC^-55/-70/-90

■ FEATURES

• Single 5.0 V read, write, and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

48-pin TSOP (Package suffix: PFTN – Normal Bend Type, PFTR – Reversed Bend Type)

44-pin SOP (Package suffix: PF)

• Minimum 100,000 write/erase cycles

• High performance

55 ns maximum access time

• Sector erase architecture

One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and seven 64K bytes.

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase.

• Boot Code Sector Architecture

T = Top sector

B = Bottom sector

• Embedded Erase^TMAlgorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded Program^TMAlgorithms

Automatically writes and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready/Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Low Vcc write inhibit ≤ 3.2 V

• Erase Suspend/Resume

Suspends the erase operation to allow a read in another sector within the same device

• Hardware RESET pin

Resets internal state machine to the read mode

• Sector protection

Hardware method disables any combination of sectors from write or erase operations

• Temporary sector unprotection

Temporary sector unprotection via the RESET pin.

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29F400BC-70PF-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 256KX16, 70ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44
MBM29F400BC-70PFTN	FUJITSU	获取价格	4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29F400BC-70PFTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT
MBM29F400BC-70PFTN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 256KX16, 70ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29F400BC-70PFTR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT
MBM29F400BC-70PFTR	FUJITSU	获取价格	4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29F400BC-70PFTR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 256KX16, 70ns, PDSO48, REVERSE, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29F400BC-90	FUJITSU	获取价格	4M (512K X 8/256K X 16) BIT
MBM29F400BC-90	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT
MBM29F400BC-90PF	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT

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