是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | PLASTIC, SOP-44 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.23 | 最长访问时间: | 55 ns |
其他特性: | CONFIGURABLE AS 256K X 16 | 备用内存宽度: | 8 |
启动块: | BOTTOM | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 28.45 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1,2,1,7 |
端子数量: | 44 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP44,.63 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 2.5 mm |
部门规模: | 16K,8K,32K,64K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 13 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM29F400BC-55PF-E1 | SPANSION |
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Flash, 256KX16, 55ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44 | |
MBM29F400BC-55PFTN | FUJITSU |
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4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29F400BC-55PFTN | SPANSION |
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FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT | |
MBM29F400BC-55PFTR | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT | |
MBM29F400BC-55PFTR | FUJITSU |
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4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29F400BC-55PFTR-E1 | SPANSION |
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Flash, 256KX16, 55ns, PDSO48, REVERSE, PLASTIC, TSOP1-48 | |
MBM29F400BC-70 | FUJITSU |
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4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29F400BC-70 | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT | |
MBM29F400BC-70PF | FUJITSU |
获取价格 |
4M (512K X 8/256K X 16) BIT | |
MBM29F400BC-70PF | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT |