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MBM29F040C-90PFTR

更新时间： 2024-11-02 22:58:07

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
40页	411K
描述
4M (512K X 8) BIT

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MBM29F040C-90PFTR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.3	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES; AUTOMATIC WRITE	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	8
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1-R	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
反向引出线：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20842-4E

FLASH MEMORY

CMOS

4M (512K × 8) BIT

MBM29F040C^-55/-70/-90

■ FEATURES

•

Single 5.0 V read, program and erase

Minimizes system level power requirements

Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

Compatible with JEDEC-standard byte-wide pinouts

32-pin PLCC (Package suffix: PD)

32-pin TSOP(I) (Package suffix: PF)

32-pin TSOP(I) (Package suffix: PFTN – Normal Bend Type, PFTR – Reversed Bend Type)

Minimum 100,000 write/erase cycles

High performance

•

55 ns maximum access time

•

Sector erase architecture

8 equal size sectors of 64K bytes each

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase.

Embedded Erase™ Algorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

Embedded Program™ Algorithms

•

Automatically writes and verifies data at specified address

Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

Low V^CCwrite inhibit ≤ 3.2 V

•

Sector protection

Hardware method disables any combination of sectors from write or erase operations

Erase Suspend/Resume

•

Suspends the erase operation to allow a read data in another sector within the same device

Embedded Erase™, Embedded Program™ and ExpressFlash™ are trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29F080-90PF	FUJITSU	获取价格	Flash, 1MX8, 90ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44
MBM29F080-90PFTN	FUJITSU	获取价格	Flash, 1MX8, 90ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP-48
MBM29F080-90PFTR	FUJITSU	获取价格	Flash, 1MX8, 90ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48
MBM29F080-90PTR	FUJITSU	获取价格	Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP-40
MBM29F080A	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT
MBM29F080A	FUJITSU	获取价格	8M (1M X 8) BIT
MBM29F080A-55	FUJITSU	获取价格	8M (1M X 8) BIT
MBM29F080A-55	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT
MBM29F080A-55PF	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT
MBM29F080A-55PFTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT

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