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Datasheet > 存储 > 闪存> MBM29F040C-90PD
MBM29F040C-90PD PDF预览

MBM29F040C-90PD

更新时间： 2024-11-02 22:58:07
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
40页 411K
描述
4M (512K X 8) BIT

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MBM29F040C-90PD 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：QFJ包装说明：PLASTIC, LCC-32
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.3最长访问时间：90 ns
其他特性：MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES; AUTOMATIC WRITE命令用户界面：YES
数据轮询：YES耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PQCC-J32JESD-609代码：e0
长度：13.97 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：8
端子数量：32字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC32,.5X.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.56 mm部门规模：64K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.045 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：11.43 mm
Base Number Matches：1

MBM29F040C-90PD 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-20842-4E  
FLASH MEMORY  
CMOS  
4M (512K × 8) BIT  
MBM29F040C-55/-70/-90  
■ FEATURES  
•
•
•
Single 5.0 V read, program and erase  
Minimizes system level power requirements  
Compatible with JEDEC-standard commands  
Uses same software commands as E2PROMs  
Compatible with JEDEC-standard byte-wide pinouts  
32-pin PLCC (Package suffix: PD)  
32-pin TSOP(I) (Package suffix: PF)  
32-pin TSOP(I) (Package suffix: PFTN – Normal Bend Type, PFTR – Reversed Bend Type)  
Minimum 100,000 write/erase cycles  
High performance  
•
•
55 ns maximum access time  
•
Sector erase architecture  
8 equal size sectors of 64K bytes each  
Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase.  
Embedded Erase™ Algorithms  
Automatically pre-programs and erases the chip or any sector  
Embedded Program™ Algorithms  
•
•
Automatically writes and verifies data at specified address  
Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion  
Low VCC write inhibit ≤ 3.2 V  
•
•
•
Sector protection  
Hardware method disables any combination of sectors from write or erase operations  
Erase Suspend/Resume  
•
Suspends the erase operation to allow a read data in another sector within the same device  
Embedded Erase™, Embedded Program™ and ExpressFlash™ are trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.  
1234567...40

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MBM29F040C-90PD 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AM29F040-90JI AMD

功能相似

 4 Megabit (524,288 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory
M29F040-90K3TR STMICROELECTRONICS

功能相似

 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory
M29F040-90XK3TR STMICROELECTRONICS

功能相似

 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory

与MBM29F040C-90PD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBM29F040C-90PFTN FUJITSU

获取价格

 		4M (512K X 8) BIT
MBM29F040C-90PFTN SPANSION

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 		FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT
MBM29F040C-90PFTR FUJITSU

获取价格

 		4M (512K X 8) BIT
MBM29F040C-90PFTR SPANSION

获取价格

 		FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT
MBM29F080-90PF FUJITSU

获取价格

 		Flash, 1MX8, 90ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44
MBM29F080-90PFTN FUJITSU

获取价格

 		Flash, 1MX8, 90ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP-48
MBM29F080-90PFTR FUJITSU

获取价格

 		Flash, 1MX8, 90ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48
MBM29F080-90PTR FUJITSU

获取价格

 		Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP-40
MBM29F080A SPANSION

获取价格

 		FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT
MBM29F080A FUJITSU

获取价格

 		8M (1M X 8) BIT

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