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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 55 ns |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | YES |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 8 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP32,.8,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 反向引出线： | YES | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 部门规模： | 64K | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.045 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM29F040C-70 | FUJITSU |
获取价格 |
4M (512K X 8) BIT |
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| MBM29F040C-70 | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT |
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| MBM29F040C-70PD | FUJITSU |
获取价格 |
4M (512K X 8) BIT |
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| MBM29F040C-70PD | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT |
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| MBM29F040C-70PFTN | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT |
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| MBM29F040C-70PFTN | FUJITSU |
获取价格 |
4M (512K X 8) BIT |
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| MBM29F040C-70PFTR | FUJITSU |
获取价格 |
4M (512K X 8) BIT |
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| MBM29F040C-70PFTR | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT |
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| MBM29F040C-90 | FUJITSU |
获取价格 |
4M (512K X 8) BIT |
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| MBM29F040C-90 | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT |
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