是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.42 |
最长访问时间: | 55 ns | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 8 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.56 mm |
部门规模: | 64K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.045 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 11.43 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM29F040C-55PFTN | SPANSION |
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FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT | |
MBM29F040C-55PFTN | FUJITSU |
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4M (512K X 8) BIT | |
MBM29F040C-55PFTR | FUJITSU |
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4M (512K X 8) BIT | |
MBM29F040C-55PFTR | SPANSION |
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FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT | |
MBM29F040C-70 | FUJITSU |
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4M (512K X 8) BIT | |
MBM29F040C-70 | SPANSION |
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FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT | |
MBM29F040C-70PD | FUJITSU |
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4M (512K X 8) BIT | |
MBM29F040C-70PD | SPANSION |
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FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT | |
MBM29F040C-70PFTN | SPANSION |
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FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT | |
MBM29F040C-70PFTN | FUJITSU |
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4M (512K X 8) BIT |