是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFJ | 包装说明: | PLASTIC, LCC-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.41 | 最长访问时间: | 90 ns |
其他特性: | MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES; AUTOMATIC WRITE | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 8 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | -20 °C |
组织: | 512KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.56 mm |
部门规模: | 64K | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 11.43 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM29F040A-90PFTN-X | FUJITSU |
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暂无描述 | |
MBM29F040A-90PFTR | FUJITSU |
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Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32 | |
MBM29F040A-90PFTR-X | FUJITSU |
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Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32 | |
MBM29F040A-90-X | FUJITSU |
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FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT | |
MBM29F040C | FUJITSU |
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4M (512K X 8) BIT | |
MBM29F040C | SPANSION |
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FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT | |
MBM29F040C-55 | FUJITSU |
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4M (512K X 8) BIT | |
MBM29F040C-55 | SPANSION |
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FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT | |
MBM29F040C-55PD | SPANSION |
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FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT | |
MBM29F040C-55PD | FUJITSU |
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4M (512K X 8) BIT |