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MBM29F040A-12PFTN-X

更新时间: 2024-11-03 13:11:11
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富士通 - FUJITSU 存储
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18页 718K
描述
Flash, 512KX8, 120ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32

MBM29F040A-12PFTN-X 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP1, TSSOP32,.8,20Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.41Is Samacsys:N
最长访问时间:120 ns其他特性:MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES; AUTOMATIC WRITE
命令用户界面:YES数据轮询:YES
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:8端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP32,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm部门规模:64K
最大待机电流:0.0001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.08 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:8 mmBase Number Matches:1

MBM29F040A-12PFTN-X 数据手册

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