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MBM29F033C-90PTR

更新时间： 2024-11-02 22:40:51

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
46页	457K
描述
32M (4M X 8) BIT

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MBM29F033C-90PTR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1-R, TSSOP40,.8,20
针数：	40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.52	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	SECTOR ERASE; 100000 ERASE/WRITE CYCLE
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	64
端子数量：	40	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1-R	封装等效代码：	TSSOP40,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	反向引出线：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.045 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

MBM29F033C-90PTR 数据手册

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20869-3E

FLASH MEMORY

CMOS

32M (4M × 8) BIT

MBM29F033C^-70/-90/-12

■ FEATURES

• Single 5.0 V read, write, and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Pinout and software compatible with single-power supply Flash

Superior inadvertent write protection

• 40-pin TSOP (I) (Package suffix: PTN-Normal Bend Type, PTR-Reversed Bend Type)

• Minimum 100,000 write/erase cycles

• High performance

70 ns maximum access time

• Sector erase architecture

Uniform sectors of 64K bytes each

Any combination of sectors can be erased. Also supports full chip erase

• Embedded Erase^TMAlgorithms

Automatically preprograms and erases the chip or any sector

• Embedded Program^TMAlgorithms

Automatically programs and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready/BUSY output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Low V^CCwrite inhibit ≤ 3.2 V

• Hardware RESET pin

Resets internal state machine to the read mode

• Erase Suspend/Resume

Supports reading or programming data to a sector not being erased

• Sector group protection

Hardware method that disables any combination of sector groups from write or erase operation (a sector group

consists of 4 adjacent sectors of 64K bytes each)

• Temporary sector groups unprotection

Hardware method temporarily enable any combination of sectors from write or erase operations

Embedded Erase™, Embedded Program™ and ExpressFlash™ are trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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