Datasheet > 存储 > 闪存> MBM29F033C-70PTN

MBM29F033C-70PTN

更新时间： 2024-11-02 22:40:51

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
46页	457K
描述
32M (4M X 8) BIT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MBM29F033C-70PTN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP40,.8,20
针数：	40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.44	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	64	端子数量：	40
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-20 °C	组织：	4MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP40,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.045 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

MBM29F033C-70PTN 数据手册

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20869-3E

FLASH MEMORY

CMOS

32M (4M × 8) BIT

MBM29F033C^-70/-90/-12

■ FEATURES

• Single 5.0 V read, write, and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Pinout and software compatible with single-power supply Flash

Superior inadvertent write protection

• 40-pin TSOP (I) (Package suffix: PTN-Normal Bend Type, PTR-Reversed Bend Type)

• Minimum 100,000 write/erase cycles

• High performance

70 ns maximum access time

• Sector erase architecture

Uniform sectors of 64K bytes each

Any combination of sectors can be erased. Also supports full chip erase

• Embedded Erase^TMAlgorithms

Automatically preprograms and erases the chip or any sector

• Embedded Program^TMAlgorithms

Automatically programs and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready/BUSY output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Low V^CCwrite inhibit ≤ 3.2 V

• Hardware RESET pin

Resets internal state machine to the read mode

• Erase Suspend/Resume

Supports reading or programming data to a sector not being erased

• Sector group protection

Hardware method that disables any combination of sector groups from write or erase operation (a sector group

consists of 4 adjacent sectors of 64K bytes each)

• Temporary sector groups unprotection

Hardware method temporarily enable any combination of sectors from write or erase operations

Embedded Erase™, Embedded Program™ and ExpressFlash™ are trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

12 3 4 5 6 7...46

中文翻译

下载PDF

与MBM29F033C-70PTN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29F033C-70PTN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 4MX8, 70ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40
MBM29F033C-70PTNS	SPANSION	获取价格	4MX8 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40
MBM29F033C-70PTNSER	FUJITSU	获取价格	4MX8 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40
MBM29F033C-70PTNSER	SPANSION	获取价格	Flash, 4MX8, 70ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40
MBM29F033C-70PTR	FUJITSU	获取价格	32M (4M X 8) BIT
MBM29F033C-70PTR	SPANSION	获取价格	Flash, 4MX8, 70ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40
MBM29F033C-70PTR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 4MX8, 70ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40
MBM29F033C-90	FUJITSU	获取价格	32M (4M X 8) BIT
MBM29F033C-90PTN	FUJITSU	获取价格	32M (4M X 8) BIT
MBM29F033C-90PTN	SPANSION	获取价格	Flash, 4MX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40

与MBM29F033C-70PTN相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

12
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

6
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

30
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

29

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MBM29F033C-70PTN

MBM29F033C-70PTN 技术参数

MBM29F033C-70PTN 数据手册

与MBM29F033C-70PTN相关器件

与MBM29F033C-70PTN相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MBM29F033C-70PTN

MBM29F033C-70PTN 技术参数

MBM29F033C-70PTN 数据手册

与MBM29F033C-70PTN相关器件

与MBM29F033C-70PTN相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？