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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | PLASTIC, TSOP1-48 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.91 |
| 最长访问时间： | 70 ns | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 32 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | -20 °C |
| 组织： | 2MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP | 封装等效代码： | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 部门规模： | 64K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.045 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 12 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM29F016A-70PFTN-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 70ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 |
|
| MBM29F016A-70PFTR | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M X 8) BIT |
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| MBM29F016A-70PFTR | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
|
| MBM29F016A-70PFTR-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 70ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
|
| MBM29F016A-90 | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
|
| MBM29F016A-90 | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M X 8) BIT |
|
| MBM29F016A-90PFTN | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M X 8) BIT |
|
| MBM29F016A-90PFTN | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
|
| MBM29F016A-90PFTN-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 90ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 |
|
| MBM29F016A-90PFTR | SPANSION |
获取价格 |
FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
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