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MBM29F004TC-70PFTR

更新时间： 2024-11-11 03:02:23

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飞索 - SPANSION		闪存存储内存集成电路光电二极管
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53页	460K
描述
FLASH MEMORY CMOS 4 M (512 K X 8) BIT

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MBM29F004TC-70PFTR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.86	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,7
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1-R	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	反向引出线：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20876-3E

FLASH MEMORY

CMOS

4 M (512 K × 8) BIT

MBM29F004TC/004BC-^70/-⁹⁰

■ DESCRIPTION

The MBM29F004TC/BC is a 4 M-bit, 5.0 V-Only Flash memory organized as 512 K bytes of 8 bits each. The

MBM29F004TC/BC is offered in a 32-pin TSOP (1) and 32-pin QFJ (PLCC) packages. This device is designed

to be programmed in-system with the standard system 5.0 V VCC supply. A 12.0 V VPP is not required for write or

erase operations. The device can also be reprogrammed in standard EPROM programmers.

The standard MBM29F004TC/BC offers access times between 70 ns and 90 ns allowing operation of high-speed

microprocessors without wait states. To eliminate bus contention the device has separate chip enable (CE) , write

enable (WE) , and output enable (OE) controls.

The MBM29F004TC/BC is pin and command set compatible with JEDEC standard E²PROMs. Commands are

written to the command register using standard microprocessor write timings. Register contents serve as input

to an internal state-machine which controls the erase and programming circuitry. Write cycles also internally latch

addresses and data needed for the programming and erase operations. Reading data out of the device is similar

to reading from 12.0 V Flash or EPROM devices.

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

MBM29F004TC/BC

Part No.

-70

−20 to + 70

-90

−40 to + 85

Ambient Temperature ( °C)

Max Address Access Time (ns)

V^CCSupply Voltage

5.0 V ± 10%

193

Operation

Erase/Program

275

Voltage Consumption

(mW) (Max)

TTL Standby mode

CMOS Standby mode

5.5

0.0275

Max CE Access (ns)

Max OE Access (ns)

12 3 4 5 6 7...53

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MBM29F004TC-90PFTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 4 M (512 K X 8) BIT
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