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MBM29F004TC-70PFTN

更新时间： 2024-11-11 03:02:23
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飞索 - SPANSION 闪存存储
页数 文件大小 规格书
53页 460K
描述
FLASH MEMORY CMOS 4 M (512 K X 8) BIT

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MBM29F004TC-70PFTN 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：PLASTIC, TSOP1-32
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.86最长访问时间：70 ns
启动块：TOP命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,7端子数量：32
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：-20 °C组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP32,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

MBM29F004TC-70PFTN 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-20876-3E  
FLASH MEMORY  
CMOS  
4 M (512 K × 8) BIT  
MBM29F004TC/004BC-70/-90  
■ DESCRIPTION  
The MBM29F004TC/BC is a 4 M-bit, 5.0 V-Only Flash memory organized as 512 K bytes of 8 bits each. The  
MBM29F004TC/BC is offered in a 32-pin TSOP (1) and 32-pin QFJ (PLCC) packages. This device is designed  
to be programmed in-system with the standard system 5.0 V VCC supply. A 12.0 V VPP is not required for write or  
erase operations. The device can also be reprogrammed in standard EPROM programmers.  
The standard MBM29F004TC/BC offers access times between 70 ns and 90 ns allowing operation of high-speed  
microprocessors without wait states. To eliminate bus contention the device has separate chip enable (CE) , write  
enable (WE) , and output enable (OE) controls.  
The MBM29F004TC/BC is pin and command set compatible with JEDEC standard E2PROMs. Commands are  
written to the command register using standard microprocessor write timings. Register contents serve as input  
to an internal state-machine which controls the erase and programming circuitry. Write cycles also internally latch  
addresses and data needed for the programming and erase operations. Reading data out of the device is similar  
to reading from 12.0 V Flash or EPROM devices.  
(Continued)  
■ PRODUCT LINE UP  
MBM29F004TC/BC  
Part No.  
-70  
−20 to + 70  
70  
-90  
−40 to + 85  
90  
Ambient Temperature ( °C)  
Max Address Access Time (ns)  
VCC Supply Voltage  
5.0 V ± 10%  
193  
Operation  
Erase/Program  
275  
Voltage Consumption  
(mW) (Max)  
TTL Standby mode  
CMOS Standby mode  
5.5  
0.0275  
Max CE Access (ns)  
Max OE Access (ns)  
70  
30  
90  
35  
1234567...53

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与MBM29F004TC-70PFTN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBM29F004TC-70PFTN-E1 SPANSION

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 		Flash, 512KX8, 70ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP1-32
MBM29F004TC-70PFTR SPANSION

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 		FLASH MEMORY CMOS 4 M (512 K X 8) BIT
MBM29F004TC-90PD SPANSION

获取价格

 		FLASH MEMORY CMOS 4 M (512 K X 8) BIT
MBM29F004TC-90PD-E1 SPANSION

获取价格

 		Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
MBM29F004TC-90PFTN SPANSION

获取价格

 		FLASH MEMORY CMOS 4 M (512 K X 8) BIT
MBM29F004TC-90PFTR SPANSION

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 		FLASH MEMORY CMOS 4 M (512 K X 8) BIT
MBM29F016-12PFTN FUJITSU

获取价格

 		Flash, 2MX8, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP-48
MBM29F016-12PFTR FUJITSU

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 		Flash, 2MX8, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48
MBM29F016-12PFTR-X FUJITSU

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 		Flash, 2MX8, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48
MBM29F016A SPANSION

获取价格

 		FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT

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