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MBM29DL321TE90TR

更新时间： 2024-11-30 22:36:07

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
80页	1459K
描述
32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation

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MBM29DL321TE90TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.5	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	100000 ERASE CYCLES
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	8,63	端子数量：	48
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1-R
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	反向引出线：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	8K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.053 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

MBM29DL321TE90TR 数据手册

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20881-3E

FLASH MEMORY

CMOS

32M (4M × 8/2M × 16) BIT Dual Operation

MBM29DL32XTE/BE ^-80/90/12

■ DESCRIPTION

The MBM29DL32XTE/BE are a 32M-bit, 3.0 V-only Flash memory organized as 4M bytes of 8 bits each or 2M

words of 16 bits each. These devices are designed to be programmed in-system with the standard system 3.0 V

V^CCsupply. 12.0 V VPP and 5.0 V VCC are not required for write or erase operations. The devices can also be

reprogrammed in standard EPROM programmers.

MBM29DL32XTE/BE are organized into two banks, Bank 1 and Bank 2, which can be considered to be two

separate memory arrays as far as certain operations are concerned. These devices are the same as Fujitsu’s

standard 3 V only Flash memories with the additional capability of allowing a normal non-delayed read access

from a non-busy bank of the array while an embedded write (either a program or an erase) operation is

simultaneously taking place on the other bank.

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Part No.

V^CC= 3.3 V

MBM29DL32XTE/BE

+0.3 V

–0.3 V

—

Ordering Part No.

+0.6 V

–0.3 V

V^CC= 3.0 V

—

120

Max. Address Access Time (ns)

Max. CE Access Time (ns)

Max. OE Access Time (ns)

■ PACKAGES

48-pin plastic TSOP (I)

63-ball plastic FBGA

Marking Side

(BGA-63P-M01)

(FPT-48P-M19)

(FPT-48P-M20)

12 3 4 5 6 7...80

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与MBM29DL321TE90TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29DL321TE-90TR	FUJITSU	获取价格	32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation
MBM29DL322BD	FUJITSU	获取价格	32M (4M X 8/2M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL322BD-12	FUJITSU	获取价格	32M (4M X 8/2M X 16) BIT Dual Operation
MBM29DL322BD12PBT	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX16, 120ns, PBGA57, PLASTIC, FBGA-57
MBM29DL322BD-12PBT	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX16, 120ns, PBGA57, PLASTIC, FBGA-57
MBM29DL322BD12PFTN	FUJITSU	获取价格	2MX16 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29DL322BD12PFTN	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29DL322BD-12PFTN	SPANSION	获取价格	2MX16 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29DL322BD12PFTN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX16, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29DL322BD12PFTR	SPANSION	获取价格	2MX16 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48

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