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MBM29DL321BE80TN

更新时间： 2024-11-29 22:09:27

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
80页	1459K
描述
32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation

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MBM29DL321BE80TN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP1, TSSOP48,.8,20	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	100000 ERASE CYCLES
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	8,63	端子数量：	48
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-20 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	8K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.053 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

MBM29DL321BE80TN 数据手册

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20881-3E

FLASH MEMORY

CMOS

32M (4M × 8/2M × 16) BIT Dual Operation

MBM29DL32XTE/BE ^-80/90/12

■ DESCRIPTION

The MBM29DL32XTE/BE are a 32M-bit, 3.0 V-only Flash memory organized as 4M bytes of 8 bits each or 2M

words of 16 bits each. These devices are designed to be programmed in-system with the standard system 3.0 V

V^CCsupply. 12.0 V VPP and 5.0 V VCC are not required for write or erase operations. The devices can also be

reprogrammed in standard EPROM programmers.

MBM29DL32XTE/BE are organized into two banks, Bank 1 and Bank 2, which can be considered to be two

separate memory arrays as far as certain operations are concerned. These devices are the same as Fujitsu’s

standard 3 V only Flash memories with the additional capability of allowing a normal non-delayed read access

from a non-busy bank of the array while an embedded write (either a program or an erase) operation is

simultaneously taking place on the other bank.

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Part No.

V^CC= 3.3 V

MBM29DL32XTE/BE

+0.3 V

–0.3 V

—

Ordering Part No.

+0.6 V

–0.3 V

V^CC= 3.0 V

—

120

Max. Address Access Time (ns)

Max. CE Access Time (ns)

Max. OE Access Time (ns)

■ PACKAGES

48-pin plastic TSOP (I)

63-ball plastic FBGA

Marking Side

(BGA-63P-M01)

(FPT-48P-M19)

(FPT-48P-M20)

12 3 4 5 6 7...80

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29DL321BE-80TN	FUJITSU	获取价格	32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation
MBM29DL321BE80TR	FUJITSU	获取价格	32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation
MBM29DL321BE-80TR	FUJITSU	获取价格	32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation
MBM29DL321BE90PBT	FUJITSU	获取价格	32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation
MBM29DL321BE-90PBT	FUJITSU	获取价格	32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation
MBM29DL321BE90TN	FUJITSU	获取价格	32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation
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MBM29DL321BE-90TR	FUJITSU	获取价格	32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation
MBM29DL321TD	FUJITSU	获取价格	32M (4M X 8/2M X 16) BIT Dual Operation

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