是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | TSOP1-R, TSSOP48,.8,20 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.85 | 最长访问时间: | 90 ns |
其他特性: | ALSO CONFIGURABLE AS 2M X 8 | 备用内存宽度: | 8 |
启动块: | BOTTOM | 命令用户界面: | YES |
通用闪存接口: | YES | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 8,31 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1-R |
封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 3/3.3 V |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 反向引出线: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 部门规模: | 8K,64K |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 12 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM29DL162BE | FUJITSU |
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16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation | |
MBM29DL162BE-12 | FUJITSU |
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16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation | |
MBM29DL162BE12PBT | CYPRESS |
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Flash, 1MX16, 120ns, PBGA48 | |
MBM29DL162BE-12PBT | SPANSION |
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Flash, 1MX16, 12ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48 | |
MBM29DL162BE-12PBT-E1 | SPANSION |
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Flash, 1MX16, 12ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48 | |
MBM29DL162BE12TN | CYPRESS |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48 | |
MBM29DL162BE-12TN | SPANSION |
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Flash, 1MX16, 12ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 | |
MBM29DL162BE-12TN | FUJITSU |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 12ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 | |
MBM29DL162BE-12TN-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 12ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 | |
MBM29DL162BE12TR | CYPRESS |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48 |