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MBD54DWT1

更新时间： 2024-11-25 22:30:03

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乐山 - LRC		二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	109K
描述
Dual SCHOTTKY Barrier Diodes

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MBD54DWT1 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
最大正向电压 (VF)：	0.24 V	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大功率耗散：	0.15 W
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向电流：	2 µA
最大反向恢复时间：	0.005 µs	反向测试电压：	25 V
子类别：	Other Diodes	表面贴装：	YES

MBD54DWT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Dual SCHOTTKY Barrier Diodes

MBD54DWT1

These SCHOTTKY barrier diodes are designed for high speed switching

applications, circuit protection, and vol tage clamping. Extremely low forward

voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount package is excellent

for hand held and portable applications where space is limited.

• Extremely Fast Switching Speed

30 VOLTS

DUAL HOT–CARRIER

DETECTOR AND SWITCHING

DIODES

• Low Forward Voltage — 0.35 V @ I _F= 10 mAdc

Cathode

N/C

Anode

SOT–363

CASE 419B–01, STYLE 6

Anode

N/C Cathode

MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)

Rating

Symbol

Value

Unit

Reverse Voltage

V R

P F

Volts

Forward Power Dissipation

@ T A = 25°C

150

1.2

Derate above 25°C

mW/°C

Forward Current (DC)

Junction Temperature

Storage Temperature Range

I F

T J

200 Max

125 Max

°C

T stg

–55 to +150

°C

DEVICE MARKING

MBD54DWT1 = BL

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T _A= 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)

Characteristic

Symbol

V _(BR)R

C _T

Min

—

Typ

—

Max

—

Unit

Reverse Breakdown Voltage (I _R= 10 µA)

Total Capacitance (V _R= 1.0 V, f = 1.0 MHz)

Reverse Leakage (V _R= 25 V)

Forward Voltage (I _F= 0.1 mAdc)

Forward Voltage (I _F= 30 mAdc)

Forward Voltage (I _F= 100 mAdc)

Reverse Recovery Time

Volts

7.6

I _R

—

0.5

2.0

0.24

0.5

1.0

µAdc

Vdc

V _F

—

0.22

0.41

0.52

V _F

—

V _F

—

t _rr

—

5.0

(I _F= I _R= 10 mAdc, I _R(REC)= 1.0 mAdc) Figure 1

Forward Voltage (I F = 1.0 mAdc)

Forward Voltage (I F = 10 mAdc)

Forward Current (DC)

V _F

I _F

—

0.29

0.35

—

0.32

0.40

200

300

600

Vdc

mAdc

Repetitive Peak Forward Current

I _FRM

—

Non–Repetitive Peak Forward Current (t <1.0s) I _FSM

—

MBD54–1/4

12 3 4

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与MBD54DWT1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBD54DWT1D	ONSEMI	获取价格	Dual Schottky Barrier Diodes
MBD54DWT1G	ONSEMI	获取价格	Dual Schottky Barrier Diodes
MBD54DWT1G_09	ONSEMI	获取价格	Dual Schottky Barrier Diodes
MBD54DWT2	ONSEMI	获取价格	2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, CASE 419B-01, 6 PIN
MBD54DWT3	MOTOROLA	获取价格	SILICON, MIXER DIODE, CASE 419B-01, 6 PIN
MBD701	MOTOROLA	获取价格	70 VOLTS HIGH.VOLTAGE SILICON HOT.CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES
MBD701	ONSEMI	获取价格	SILICON HOT-CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES
MBD701	LRC	获取价格	Silicon Hot-Carrier Diodes
MBD701_06	ONSEMI	获取价格	Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
MBD701_09	ONSEMI	获取价格	Silicon Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes

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