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MB85RS512TPNF-G-JNERE1

更新时间： 2024-11-21 20:10:31

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
36页	1841K
描述
Memory Circuit, 64KX8, CMOS, PDSO8, SOP-8

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MB85RS512TPNF-G-JNERE1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOP,	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.61
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	5.05 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
座面最大高度：	1.75 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

MB85RS512TPNF-G-JNERE1 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS501-00029-0v01-E

Memory FRAM

512K (64 K × 8) Bit SPI

MB85RS512T

■ DESCRIPTION

MB85RS512T is a FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 65,536

words × 8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the

nonvolatile memory cells.

MB85RS512T adopts the Serial Peripheral Interface (SPI).

The MB85RS512T is able to retain data without using a back-up battery, as is needed for SRAM.

The memory cells used in the MB85RS512T can be used for 10¹³read/write operations, which is a significant

improvement over the number of read and write operations supported by Flash memory and E²PROM.

MB85RS512T does not take long time to write data like Flash memories or E²PROM, and MB85RS512T

takes no wait time.

■ FEATURES

• Bit configuration

: 65,536 words × 8 bits

• Serial Peripheral Interface

: SPI (Serial Peripheral Interface)

Correspondent to SPI mode 0 (0, 0) and mode 3 (1, 1)

: 1.8 V to 2.7 V, 25 MHz (Max)

2.7 V to 3.6 V, 30 MHz (Max)

• Operating frequency

For FSTRD command 2.7 V to 3.6 V, 40 MHz (Max)

: 10¹³times / byte

: 10 years (+85 °C)

• High endurance

• Data retention

• Operating power supply voltage : 1.8 V to 3.6 V

• Low power consumption : Operating power supply current 10 mA (Max@30 MHz)

Standby current 120 μA (Max)

Sleep current 10 μA (Max)

• Operation ambient temperature range : -40 °C to +85 °C

• Package : 8-pin plastic SOP (FPT-8P-M02)

RoHS compliant

2014.2

12 3 4 5 6 7...36

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB85RS64	FUJITSU	获取价格	64 K (8 KÃ8) ãããSPI
MB85RS64A	FUJITSU	获取价格	Memory FRAM 64 K (8 K x 8) Bit SPI
MB85RS64PNF-G-JNERE1	FUJITSU	获取价格	Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDSO8, SOP-8
MB85RS64V	FUJITSU	获取价格	64 K (8 K Ã 8) ãããSPI
MB86	MCC	获取价格	8 Amp Single Phase Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
MB86	DIODES	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 600V V(RRM), Silicon
MB86004PFV	FUJITSU	获取价格	PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, 15.5MHz, PDSO16, PLASTIC, SSOP-16
MB86021-P	FUJITSU	获取价格	PARALLEL, 8 BITS INPUT LOADING, 8-BIT DAC, PDIP24, SKINNY, PLASTIC, DIP-24
MB86022-P	FUJITSU	获取价格	PARALLEL, 8 BITS INPUT LOADING, 8-BIT DAC, PDIP24, PLASTIC, DIP-24
MB86022-PF	FUJITSU	获取价格	PARALLEL, 8 BITS INPUT LOADING, 8-BIT DAC, PDSO24, PLASTIC, FP-24

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