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MB84VD22280FA-70PBS

更新时间： 2024-11-26 03:55:15

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飞索 - SPANSION		闪存存储内存集成电路
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描述
32M (X16) FLASH MEMORY & 8M (X16) STATIC RAM

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MB84VD22280FA-70PBS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA59,8X10,32
针数：	59	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	SRAM IS ORGANIZED AS 512K X 16	JESD-30 代码：	R-PBGA-B59
JESD-609代码：	e0	长度：	9 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	混合内存类型：	FLASH+SRAM
功能数量：	1	端子数量：	59
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA59,8X10,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.1 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	7 mm
Base Number Matches：	1

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-50308-2E

Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM

CMOS

32M (×16) FLASH MEMORY &

8M (×16) STATIC RAM

MB84VD22280FA-70/MB84VD22290FA-70

MB84VD22280FE-70/MB84VD22290FE-70

■ FEATURES

• Power Supply Voltage of 2.7 V to 3.1 V

• High Performance

70 ns maximum access time (Flash)

70 ns maximum access time (SRAM)

• Operating Temperature

–30°C to +85°C

• Package 59-ball FBGA

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Part No.

MB84VD22280FA/80FE/90FA/90FE

+0.1 V

–0.3 V

+0.1 V

–0.3 V

Supply Voltage(V)

V^CCf= 3.0 V

VCCs= 3.0 V

Max Address Access Time (ns)

Max CE Access Time (ns)

Max OE Access Time (ns)

Note: Both VCCf and VCCs must be in recommended operation range when either part is being accessed.

■ PACKAGE

59-ball plastic FBGA

(BGA-59P-M02)

12 3 4 5 6 7...47

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