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MB84256A-70LPFTN

更新时间: 2024-09-23 04:19:47
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 633K
描述
CMOS 256K-BIT LOW POWER SRAM

MB84256A-70LPFTN 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
零件包装代码:TSOP包装说明:TSSOP, TSSOP28,.53,22
针数:28Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.72Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP28,.53,22
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.08 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.55 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MB84256A-70LPFTN 数据手册

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