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MB84256A-12LLPFTR

更新时间: 2024-01-25 16:15:39
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 226K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, REVERSE, PLASTIC, TSOP-28

MB84256A-12LLPFTR 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:TSOP包装说明:TSSOP, TSSOP28,.53,22
针数:28Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.72最长访问时间:120 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP28,.53,22封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
反向引出线:YES最大待机电流:0.000005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.55 mm
端子位置:DUAL

MB84256A-12LLPFTR 数据手册

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