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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP32,.6 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.85 | 最长访问时间： | 120 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.08 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MB841000-12P | FUJITSU |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDIP32 |
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| MB841000-12PF | FUJITSU |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32 |
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| MB841000-70LLP | FUJITSU |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32 |
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| MB841000-70LLPFTN | FUJITSU |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
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| MB841000-70LPFTR | FUJITSU |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
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| MB841000-70SLP | FUJITSU |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32 |
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| MB841000-80LPF | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC |
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| MB841000-80P | FUJITSU |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 80ns, CMOS, PDIP32 |
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| MB841000-85LLPFTR | FUJITSU |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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| MB841000-85LP | FUJITSU |
获取价格 |
IC,SRAM,128KX8,CMOS,DIP,32PIN,PLASTIC |
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